碳化硅-氧化铝陶瓷的超高压烧结研究

摘要

采用低温超高压(LT-HP)技术在4.5Gpa/1250℃/20min工艺条件下制备了添加不同Al2O3助烧结剂量的纳米碳化硅(SiC)陶瓷，研究了烧结的SiC陶瓷的物相组成、微观结构、显微硬度等。结果表明：Al2O3是有效的低温烧结助剂，LT-HP工艺下添加2％Al2O3(质量百分数，后同)即可使SiC陶瓷全致密化；随着Al2O3含量的增加显微硬度有所提高；烧结体致密无裂纹及孔隙。