一种MOS结构γ探测器工艺设计对性能的影响

摘要

辐射场效应管(RADFET)γ剂量探测器现在己经广泛应用到宇航、核电站和核医疗等部门的γ辐射剂量测量。RADFET γ剂量探测器是选用10Ω·cm左右、(100)晶面的n型硅单晶片，用改进的MOS场效应管加工工艺和特殊要求的氧化技术制作的一种特殊的P沟道增强型MOSFET。辐射灵敏度、一致性、稳定性以及温度响应是半导体探测器的重要指标。本文主要阐述了介绍了RADFETγ探测器的一些工艺对性能的影响,并对一些解决方法提出讨论。