用于SOI工艺的Ti/TiN/Al技术研究

摘要

从理论上分析了当采用Ti 40nm+400℃ Al 450nm作为SOI流程的金属膜层时，器件参数异常甚至失效的原因，并通过实验验证了理论分析的正确性。在对实验数据进行对比分析后，得出了作为SOI流程的金属膜层的最佳结构：Ti40nm+101TiN60nm+400℃ Al 450nm。