首页> 中文会议>第十五届全国高技术陶瓷学术年会 >铈掺杂对钙铋钛铁电陶瓷取向及性能的影响

铈掺杂对钙铋钛铁电陶瓷取向及性能的影响

摘要

用固相烧结工艺,制备了不同Ce掺量CaBi4-xCexTi4O15的陶瓷样品。用X射线衍射对其显微结构进行了分析,并测试了样品的介电、铁电性能,研究了烧结温度对样品晶粒取向和铁电性能的影响。结果发现Ce掺杂未改变CaBi4-xCexTi4O15的晶体结构,1150℃烧结所得样品中。轴取向晶粒较多,有利于样品的铁电性能:x=0.2为最佳掺量,样品剩余极化强度最大,2Pr=18.4μC/cm2,对应的矫顽场强度2Ec=99kV/cm,相对介电常数εr=165,介电损耗tanδ=2×10-3。

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