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中国电子学会;
广州市科协;
透射电子显微镜; 表面形貌; 微结构; 外延层; 位错密度; 应力调制;
机译:分子束外延在块状GaN单晶衬底的Ga和N面上生长AlxGa1-xN和Mg掺杂的GaN外延层
机译:使用金属有机化学气相沉积法在SiC衬底上生长有导电AlxGa1-xN缓冲层的GaN外延层
机译:AIN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
机译:氨源MBE生长具有Si_xN_(1-x)缓冲层的GaN外延层的表面形貌
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:插入在两个AIN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AllnN / AIN / GaN / AIN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:微结构的制造方法涉及在金属化结构的电介质层上构建平坦化层,该电化层构建在基板上,其中,基于表面形貌进行加工操作
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