InP基InGaAlAs/InGaAlAsSb应变量子阱激光器的子带跃迁计算

摘要

采用有效质量模型下的4×4Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。求得了C1-HH1跃迁波长随In组分及阱宽的变化关系，并采用力学平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明，在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分和阱宽，在InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器中能够实现1.6～2.5μm近中红外波段的激射波长。