AlxIn1-xN一维纳米材料的制备及成分调变

摘要

Ⅲ族氮化物及其合金具有连续可调的直接带隙,在光电子学领域具有广阔应用前景.三元AlxGa1-xN、InxGavxN一维纳米材料的制备与成分调控已有报道,但AlxIn1-xN的相关研究尚局限于薄膜材料.由于AlN和InN的晶格参数和热稳定性差异很大,AlxIn1-xN一维纳米材料的制备和成分调变是极具挑战性的课题.AlxIn1-xN一维纳米材料的制备中，以AlCl3和InCl3为Al源和In源，以NH3为氮源，在Si(100)基底上沉积得到AlxIn1-xN一维纳米材料。扫描电镜( SEM)表征显示:随InCl3气化温度的升高(AlCl3的气化温度保持不变)，产物的形貌从纳米锥(10-30 nm)变为纳米柱(-300 nm)、纳米“刷”(纳米柱顶端长出纳米锥束)，最后又变为纳米锥形貌.