BaTiO3-CaSnO3系压电陶瓷中微观缺陷的正电子湮没研究

摘要

测量了不同CaSnO3含量的(1-x)BaTiO3-xCaSnO3压电陶瓷样品符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。实验结果表明，随着(1-x)BaTiO3-xCaSnO3陶瓷样品中caSnO3含量x的升高，正电子寿命谱的第二组分强度I2及平均寿命τm均升高，商谱谱峰降低，陶瓷样品中的缺陷浓度升高。在BaTiO3陶瓷中添加CaSnO3，将抑制晶粒的生长，使品界缺陷增加。随着烧结温度的升高，0.8BaTiO3-0.2CaSnO3和0.6BaTiO3-0.4CaSnO3陶瓷样品的晶粒最大，晶界缺陷和空位等减少，陶瓷样品的商谱降低。