用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷

摘要

测量了铝含量从47at%到53at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱.结果表明:所有测试合金晶界缺陷的开空间均大于金属Al单空位的开空间.富Al的TiAl合金,其晶界缺陷的开空间随Al含量的增加而增大;晶界处的电子密度随Al含量的增加而降低.富Ti的TiAl合金,随着Ti含量的增加,其晶界(或相界)缺陷的开空间减小,晶界处的电子密度增高,使得晶界结合力增强.富Ti的TiAl合金中形成了α2 (Ti3Al)+γ(TiAl)层状结构双相组织使相界面增多,导致正电子陷阱数增加.讨论了合金的微观结构对其力学性能的影响.