首页> 中文会议>2009第八届中国国际纳米科技(湘潭)研讨会 >硒化镉(CdSe)量子点荧光性质的表面化学影响因素

硒化镉(CdSe)量子点荧光性质的表面化学影响因素

摘要

以硒化镉为代表的半导体量子点由于受到量子限域效应的影响,具有与粒子尺寸密切相关的光学和电学性质,近年来成为人们研究的热点。由于其良好的发光性质,量子点目前在生物标记和LED等方面得到越来越广泛的应用。相比其光学吸收,量子点的发光受到更多因素的影响,如表面缺陷、表面配体、带电状态等等。造成文献中荧光测量结果的不一致性以及实验结果的难重复性,阻碍了其进一步的应用与发展。本文尝试总结硒化镉量子点荧光性质受到的表面化学影响因素,包括反应条件、溶剂、配体分子等,说明发展定量的量子点标记技术必须建立统一规范的荧光测量方法。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号