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黄维; 常少辉; 陈之战; 施尔畏;
中国核学会;
半绝缘碳化硅; 光电导开关; 上升沿; 导通电阻; 脉冲激光器;
机译:补偿6-H碳化硅制成的大功率光电导开关的导通特性
机译:15-20kV 4H-SiC IGBT的导通状态和开关性能的优化
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机译:表面形态对SiC光电导开关的导通电阻的影响
机译:大功率光电导开关在高温下的性能分析。
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
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机译:硅光电导开关器件的导通电阻建模
机译:由无源元件组成的大功率交流开关-处于导通状态的串联LC电路和不导通状态的并联LC电路
机译:具有统一击穿电压和导通电阻特性的沟槽栅极累积模式SIC MOSFET自对准通道的制造方法
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