两步湿氧法制备硅微尖阵列工艺研究

摘要

本文主要阐述硅微尖阵列的制备工艺。实验以直径4英寸的n型(100)晶向的硅片为基片，首先在硅片表面氧化生成一层厚度为250nm的二氧化砖掩蔽层，利用接近式光刻及反麻离子刻蚀(RIE)得到边长为4μm，间距为6μm的硅柱。利用两步湿氧法对硅柱进行氧化削尖，最终得到尖锥曲率半径约为450nm的硅微尖阵列。