核辐射在高温型SiC纤维及相关材料研制中的应用

摘要

与基体材料具有良好相容性的SiC纤维在聚合物基、金属基以及陶瓷基复合材料等领域具有令人瞩目的应用前景.传统的CVD 法SiC纤维其最高使用温度仅约900 ℃、氧化先驱丝法SiC纤维也只能用于1 000 ℃以下,并不能满足高温应用对材料性能的要求.经过十余年的工作,建立了基于核辐射技术研制高纯度SiC纤维(使用温度>1 600℃、单丝拉伸强度达2.2~2.7 GPa)的系列关键技术.基于所得技术还发展了圆形截面管状SiC纤维(外径为10~15 μm、壁厚约2~3 μm)的辐射化学合成技术;在核辐射应用于Si3N4 纤维、纳米微孔SiC 功能陶瓷以及陶瓷基复合材料等的研制方面亦获初步进展.