GaN基纳米柱LED中的应力弛豫

摘要

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰有3nm的蓝移,发光强度增强了4倍。我们通过计算和模拟证实了纳米柱中存在的蓝移现象是由于应力弛豫而不是量子限制效应导致的。