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何巍; 张伟伟; 杨绪军; 陈云梅;
中国宇航学会;
毫米波; 功率量; 量热技术;
机译:在硅上的毫米波AlGaN / GaN HEMT技术中,在40 GHz时具有150GHz截止频率和2W / mm输出功率
机译:使用高压InP HEMT的125GHz,140mW输出毫米波功率放大器:面向120GHz频段宽带无线的实际使用
机译:采用高耐压InP HEMT的125GHz,140mW输出毫米波功率放大器-面向120GHz宽带无线电的实际使用
机译:用于毫米波功率计校准的宽带波导量热仪,频率范围为50 GHz至110 GHz
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:多孔硅的介电特性用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
机译:低噪声高性能50nm T栅极变质HEmT,截止频率f T sub> 440 GHz,适用于毫米波成像接收器应用
机译:在过模圆形波导中传输超高功率毫米波(28k,70和140 Ghz时200 kw)的元件
机译:DEVICE期任意乘法MODULO 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 010009000003c900000002001c00000000000500000009020000000005000000020101000000050000000102ffffff00050000002e0118000000050000000b0200000000050000000c
机译:通过用75-110 GHz频段的微波激发样品并检测50-75 GHz和/或500-750 GHz频段的样品发射来检测硝酸铵或三硝基甲苯(TNT)
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