PECVD生长径向n-i-p硅纳米线太阳能电池

摘要

采用PECVD 技术在柔性不锈钢衬底上制备径向n-i-p 硅纳米线(Silicon Nanowires-SiNWs)太阳能电池.电流-电压测试表明硅纳米线电池的开路电压为0.62V,短路电流密度为13.36 mA/cm2、转化效率达3.56%.与同炉制备的硅薄膜电池相比,硅纳米线电池电流密度显著提高,我们将其归因于硅纳米线电池具有较低的光反射,因而能更充分吸收太阳光.外量子效率测试也表明,在550nm-750nm 的光波段,硅纳米线电池的量子效率有明显的提高.