多孔SiO2减反射膜的制备及性能研究

摘要

采用PEG作为造孔剂，利用溶胶-凝胶法制备了SiO2的溶液，提拉法成膜，通过退火热处理得到多孔SiO2薄膜。通过膜厚仪测量薄膜厚度，分析了膜厚与提拉速度的关系。利用UV-Vis、UV-Vis/NIR 光谱仪研究了薄膜的透过光谱，探讨了影响减反射膜透过率因素。结果表明：薄膜厚度随提拉速度的增加呈线性增加；造孔剂PEG量的增加，有利于提高薄膜的透过率；薄膜热处理温度范围是350℃-500℃，退火时间30min-1h；单层SiO2减反射膜的增透光区主要是可见光区，双层结构的SiO2减反射膜比单层膜的增透波长范围更宽，在可见光区及近红外光区的平均透过率可以增加5个百分点。