170 ps激光脉冲辐照可见光面阵Si-CCD的实验

摘要

本文进行了532nm ps激光辐照面阵Si-CCD的实验研究，建立了532nm，170 ps激光辐照Si-CCD效应实验测量系统，观察到了各种典型的干扰和损伤效应现象并测量了阈值。对破坏后的CCD器件的微观结构进行了显微观察，并深入分析了各种典型实验现象和电路层面的损伤机理。开展了10 ns和150 fs激光对CCD探测器的辐照效应实验，并对不同脉宽激光与CCD相互作用阈值的关系进行了比较分析。实验结果表明：激光能量密度为10-8～10-3J/cm2时，会干扰CCD成像;激光能量密度超过10-1J/cm2时，则会出现CCD永久性损伤。