电针相关井穴对血管性痴呆大鼠记忆障碍及一氧化氮的影响

摘要

目的：观察电针相关井穴(少冲、中冲、涌泉和少商)对血管性痴呆(Vascular dementia,VD)大鼠学习记忆和脑及血清一氧化氮(nitric oxide,NO)水平的影响.方法：104只大鼠随机分为四组:假手术组,模型组,井穴组和西药组.参照改良的Pulsinelli 4血管闭塞法(4-VO)获得VD大鼠模型,通过跳台法进行行为学测试,记录治疗前后跳台测试的潜伏期和3分钟内的错误次数,以评价大鼠不同时期的学习记忆能力,治疗完成后测定大鼠脑组织及血清中NO含量.结果:结果治疗前,和其他各组相比较,假手术组的潜伏期较长,错误次数较少,和其余各组比较均有非常显著差异(p＜0.01)；治疗后,和模型组比较,井穴组的潜伏期显著延长(p＜0.01),错误次数显著减少(p＜0.05),脑组织(p＜0.05)和血清(p＜0.01)中NO含量明显降低.井穴组和西药组在潜伏期、错误次数和NO水平上的比较均无显著性差异(p＞0.05).结论：电针相关井穴能显著改善VD大鼠的记忆障碍,降低脑组织及血清中NO含量.对脑缺血损伤后NO的过度产生和相关神经毒性的抑制可能是其作用机制之一.