光电子能谱

摘要： 本文测量子AuC_(n)^(-)(n=3~8)的光电子能谱,并且对AuC_(n)^(-/0)(n=3~8)的结构和性质进行了理论研究.研究发现,AuC_(n)^(-)的光电子能谱表现出明显的奇偶交替变化,AuC_(3)^(-)、AuC_(5)^(-)、AuC_(7)^(-)的光电子能谱峰明显宽于AuC_(4)^(-)、AuC_(6)^(-)、AuC_(8)^(-)的光电子能谱峰,AuC_(3)^(-)、AuC_(5)^(-)、AuC_(7)^(-)的电子垂直脱附能低于AuC_(4)^(-)、AuC_(6)^(-)、AuC_(8)^(-)的电子垂直脱附能.AuC_(n)^(-)(n=3~8)的最稳定结构是链状结构.在中性团簇AuC_(n)(n=3~8)中,除了AuC_(3)和AuC_(5)的结构轻微弯曲外,其他团簇均是直线型结构.理论计算的∠AuCC角度,Au-C键长和Au原子的电荷分布均呈现奇偶变化,与实验观测一致.

摘要： 本文利用飞秒时间分辨的光电子成像技术研究了2-羟基吡啶分子在276.9~250.0 nm波长范围的紫外光激发条件下S_(1)态的衰变动力学.根据衰变动力学的泵浦波长相关性,提出了一种衰变机制.在276.9 nm泵浦波长下,S_(1)态主要通过系间穿越到更低的三重态衰变.在264.0 nm泵浦波长下,系间穿越到三重态和内转换到基态的通道同时存在.在250.0 nm泵浦波长下,内转换到基态过程占据主导.

摘要： 结合阴离子光电子能谱(Negative Ion Photoelectron Spectroscopy,NIPES)实验和量子化学计算,研究了广泛存在于大气气溶胶中的SO_(3)^(–)和HSO_(3)^(–)的电子结构、微溶剂化作用及其稳定化机制.首先,基于高分辨NIPES测得了上述两种阴离子SO_(3)^(–)和HSO_(3)^(–)的垂直电离能((3.31±0.02)和(3.91±0.02)eV)和绝热电离能((3.02±0.05)和(3.56±0.05)eV).进一步发现,结合核系综方法和Dyson轨道计算可以很好地模拟实验测得NIPES,而传统基于态密度方法不能很好地反映核振动效应、电离概率和电离过程中的轨道弛豫效应.此外,系统研究了HSO_(3)^(–)·(H_(2)O)_(n)(n=0~5)体系的微溶剂化效应,结果发现,随着水分子数目的增加,络合体系的稳定性增强,其中静电作用占主导,诱导作用也逐渐发挥重要作用.相信本研究将有利于推动基于硫酸盐的大气气溶胶模型的完善,为有效控制我国雾霾形成提供基础科学依据.

摘要： PEDOT∶PSS(聚3, 4-亚乙基二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸盐)薄膜因其良好的导电性、透光性、机械柔韧性以及溶液可加工性而被广泛应用。提高PEDOT材料的电导率以及光电稳定性对其器件应用有重要意义。在本文中,首先用旋涂法制备PEDOT∶PSS薄膜,然后采用硫酸后处理技术提高其电导率,并将硫酸处理后的薄膜分别放置于空气、氧气、氮气中以及太阳光照下30 d,研究薄膜的光电稳定性及老化机制。实验结果表明:太阳光照是影响薄膜光电性能稳定性的主要因素,而硫酸处理有效地去除了过量的PSS成分,使薄膜的稳定性变好。通过比较老化前后薄膜的光吸收谱和光电子能谱(XPS)发现,在老化过程中薄膜发生了光氧化降解,这是影响薄膜光电稳定性的原因之一。

摘要： 采用简单的低温化学合成法成功制备出WO_(3)/石墨烯纳米复合材料,该材料在室温下表现出极佳的光激发甲苯气敏性能。结果表明:石墨烯的加入会使WO_(3)片层尺寸减小到300 nm左右,同时会组装成球状结构。在复合材料中石墨烯与WO_(3)会以化学键结合,有效降低WO_(3)中氧空位的浓度。在蓝光激发下,WO_(3)/石墨烯复合材料对100 mL/m^(3)甲苯的气敏响应性能比WO_(3)材料提高了3.3倍。该甲苯传感材料在易爆、易燃和有毒环境中有很好的应用前景。

摘要： 运用双杂化密度泛函mPW2PLYP方法对NiGe_(n)^(0/-)(n=2-11)团簇的基态结构及生长模式进行了系统地研究。结果表明,NiGe n团簇在n=9时形成最小尺寸笼型构型,NiGe-n团簇在n=10时形成最小的笼型结构。在确定基态结构的基础上,模拟了阴离子光电子能谱(PES),计算了团簇的平均键能(E_(b))、二阶能量差分((2E)、HOMO-LUMO能隙(E_(gap))、自然布局分析(NPA)、垂直电子亲和能(VDE)和绝热电子亲和能(AEA)。结果表明,NiGe_(10)团簇具有优良的稳定性,可用作新型功能材料的构建基元。

摘要： 原子层沉积是一种新兴的气相薄膜沉积方法,已广泛应用于微电子、能源、光学以及催化等领域.研究和理解原子层沉积过程中的物理化学机理对于沉积高质量薄膜及其应用至关重要.光电子能谱作为一种表面分析技术,可用于原位检测原子层沉积反应过程中的表面化学变化,为原子层沉积机理研究及新型原子层沉积方法的研发提供重要的基础.本文首先介绍了原位光电子能谱的工作原理及设备构造,之后分类阐述了应用原位光电子能谱在薄膜生长过程的表面化学反应机理、初始生长过程的基底效应、薄膜生长行为模式研究、前驱体表面热解过程及影响以及界面能带结构等原子层沉积机理方面的研究进展,最后展望了光电子能谱在未来原子层沉积机理研究中的发展方向.

摘要： 采用射线对太安进行辐照,基于SEM、XPS及FTIR表征了辐照对PETN结构的影响,利用DSC-TG和压力传感器法考察了辐照对PETN热安定性的影响.结果表明,辐照后的太安在120°C时颜色和形态发生较大变化,放气量剧增,即辐照使太安的热安定性变差.辐照使太安熔化温度由初始的143.8°C提前到140.4°C,分解温度由初始的205.8°C推迟到206.7°C.经辐照后各元素含量明显变化,碳元素含量明显增加,氮元素含量少量上升,氧元素含量逐渐减小,分析认为是发生了去硝基反应.

摘要： 本文利用X射线谱研究了吡嗪(C4H4N2)分子共价吸附于硅(100)面的几种吸附构型的几何结构和电子结构.利用密度泛函理论结合团簇模型,对预测的吸附结构的碳K壳层(1s)X射线光电子能谱(XPS)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)谱进行了模拟.计算结果阐明了XPS和NEXAFS谱与不同吸附构型的对应关系.与XPS谱相比,NEXAFS谱对所研究的吡嗪/硅(100)体系的结构有明显的依赖性,可以很好地用于结构鉴定.根据碳原子的分类,研究了在NEXAFS光谱中不同化学环境下碳原子的光谱成分.

摘要： 硼酸和三聚氰胺以一定配比合成氮化硼前驱体高聚物。将该前驱体超声溶于甲酸溶液,在静电纺丝电压25 kV,正负极距离18 cm的条件下,可通过静电纺丝法制备直径均匀的纤维。将该电纺纤维放入马弗炉,以10°C/min升温速率加热至600°C和850°C,保温不同时间,可制备白色BN纤维。利用SEM、TEM、TG-DSC、XPS和IR对BN纤维的结构,性能进行详细表征。结果表明,前驱体高聚物具有良好的静电纺丝性能,提高煅烧温度、延长煅烧时间可制备较纯的氮化硼纤维。

摘要： 通过理论计算确定三氟甲磺酸甲酯的稳定构型,并对其稳定结构进行了外价层格林函数(OVGF)计算.首次利用PES(He I photoelectron spectroscopy)得到其光电子能谱图并结合理论计算对能谱峰进行指认.

摘要： 铀酰物种在核素迁移和转化以及核燃料后处理中具有重要地位.其研究核心之一是铀酰配合物的几何和电子结构以及与溶剂分子的相互作用.理论上，对这些铀酰配合物结构和电子光谱的预测和模拟有助于正确理解和指认实验光谱，并辅助相关实验研究的开展。采用包含标量和旋-轨耦合相对论效应的密度泛函理论(DFT)和从头算波函数理论(WFT)的高级电子相关方法，研究了气相UO2F42-分子及其与水或乙腈形成的溶剂合配合物，以及气相UO2Cl42-分子。借助于高分辨的光电子能谱和相对论量子化学计算，获得了这些化合物的配位几何和电子结构，给出了实验能谱的归属。理论研究表明，气相中UO2F42-分子与1-2个水/乙腈溶剂分子形成了外层溶剂合配合物UO2F4(H2O)n2-和UO2F4(CH3CN)n2- (n =1, 2)，它们之间存在弱的氢键相互作用，与其具有相似的光电子能谱这一现象相吻合。此外，UO2Cl42-分子的前线占据轨道以Cl-3p孤对电子轨道为主，而UO2F42-分子的前线占据轨道则以U-O成键轨道为主。

摘要： 用于包装食品饮料的镀锡板,在制罐前大多需在表面进行涂膜处理,为保证灌装后产品的质量,需要漆膜和镀锡板之间具有良好的附着性能。采用重铬酸钠阴极电化学钝化处理的镀锡板在刚产出时,漆膜与钢板的附着力良好，但在放置半年以上时间后,在涂膜时漆膜和带钢的附着力会出现一定程度的下降,严重影响了镀锡板的使用性能。研究了镀锡板经过重铬酸钠溶液电化学钝化后增加蒸汽喷吹对附着力的影响,结果表明增加蒸汽喷吹可有效改善附着力的时效问题,增加蒸汽喷吹后试样在自然时效6个月后附着力仍能达到Ⅲ级.采用温度60°C、湿度90％的温湿度箱、放置96 h后附着力检测结果和自然时效6个月后检测结果相当,该方法可用于模拟长期放置后附着力的变化情况。利用光电子能谱(XPS)分析了增加蒸汽喷吹和不增加蒸汽喷吹镀锡板钝化膜结构，从XPS分析结果可知,镀锡板钝化膜由Cr2O3、Cr(OH)3和微量Cr组成,增加蒸汽喷吹试样Cr(OH)3含量低于不增加蒸汽喷吹试样,Cr(OH)3含量越高,附着力越差。

摘要： 基于氧化石墨烯具有多种含氧官能团和极大的比表面积,研究了不同氧化程度氧化石墨烯的湿敏性能。采用改进的Hummers法制备不同氧化程度的氧化石墨,经过超声分散制备氧化石墨烯水相分散液后,制成氧化石墨烯薄膜湿敏元件.采用X射线衍射、原子力显微镜、红外光谱、拉曼光谱和X射线光电子能谱对实验样品的结构和谱学特性进行表征.结果表明：石墨经氧化后,底面间距增大为0.9nm左右；随氧化剂用量的增加,氧化石墨中石墨的衍射峰逐渐消失,石墨相微晶尺寸逐渐减小,O/C原子比逐渐增大,氧化程度逐渐升高；氧化石墨烯在水相分散液中可达单层分散,单层氧化石墨烯厚度约为1.3nm;氧化石墨烯表面接有-OH、C-O-C、C=O和COOH官能团,且官能团含量随氧化程度的升高而增大；氧化石墨烯薄膜元件在室温下对湿度的响应时间约3s,灵敏度达99％；在11.3％～93.6％相对湿度范围内,元件的电阻随湿度升高显著减小,较高氧化程度的氧化石墨烯薄膜的电阻对数与相对湿度呈线性变化；氧化程度越高,元件灵敏度越高,响应时间越短.

摘要： 电子能谱仪广泛地应用于固体材料科学研究领域.而新型的电子能谱仪因为具有高分辨高灵敏的微区分析和高空间分辨的成像分析以及非破坏性的深度剖析(角分辨XPS),所以还可以对材料表面进行微区分析、角分辨分析以及元素和化学态成像分析,为人们提供了材料表面更细致和更准确的物理化学信息.如利用微区分析技术,可以对微米尺度的材料(单个树脂小球或单个单晶)表面进行无损分析,从而获取样品表面元素含量及存在状态.

摘要： 本文针对碳纳米管薄膜的表面结构和场致电子发射性能进行研究.通过溶液法制备的碳纳米管的开启电场约3.33MV/m,阂值电场约为5.44MV/m.通过光电子能谱的分析,发现碳纳米管薄膜的表面势垒在外加电场作用下逐步下降,从而使得碳纳米管薄膜的电子更加容易发射进入真空.

摘要： 碳纳米管在水溶液中的稳定分散、准确定量及尺寸分布表征是实现其生物医学应用的重要基础。本文在以往建立的高浓度稳定碳纳米管水溶液制备技术基础上，将表面光电子能谱分析、UV-vis-NIR、热失重分析、扫描和透射电镜方法相结合，对碳纳米管水溶液进行了分析和表征，探讨了碳纳米管表面氧化程度、溶液贮存时间、溶液所受离心力等多种因素对溶液中碳纳米管尺寸分布、浓度、以及分散稳定性的影响。

摘要： 通过铜(T2)在沈阳户外大气暴露实验,利用扫描电镜(SEM)及光电子能谱(XPS)等分析方法,研究了铜在沈阳户外大气暴露条件下的腐蚀产物特征。结果表明:铜在沈阳大气环境中初期腐蚀的表面形貌表现为非均匀腐蚀,表面局部有形状不规则的细小蚀坑出现,腐蚀产物主要为CuO、Cu2O及铜的硫酸盐,Cu2O的生成贯穿整个腐蚀过程.

摘要： M型阴极获得高电子发射能力的机理是阴极领域的难点问题。本文利用同步辐射光电子谱装置，开展了覆W膜阴极和覆Os膜阴极表面元素成分及化学态的研究，从化学态角度对这一机理作出了新的解释。研究表明，与W膜相比，Os膜使阴极表面的钡和氧的化学状态发生明显改变，并使阴极表面的超额钡大幅增加。进一步分析表明，M型阴极对应的贵金属薄膜都具有容易氧化且氧化物易于分解的特性，这一特性是造成M型阴极电子发射能力大幅提高的根本原因。

摘要： M型阴极获得高电子发射能力的机理是阴极领域的难点问题。本文利用同步辐射光电子谱装置，开展了覆W膜阴极和覆Os膜阴极表面元素成分及化学态的研究，从化学态角度对这一机理作出了新的解释。研究表明，与W膜相比，Os膜使阴极表面的钡和氧的化学状态发生明显改变，并使阴极表面的超额钡大幅增加。进一步分析表明，M型阴极对应的贵金属薄膜都具有容易氧化且氧化物易于分解的特性，这一特性是造成M型阴极电子发射能力大幅提高的根本原因。

摘要： 一种采用价带谱进行X射线光电子能谱校正的方法，包括以下步骤：(1)采用X射线光电子能谱仪对材料进行特征X射线光电子能谱及价带谱的扫描，得到高分辨的谱图测试特征X射线光电子能谱及价带谱；(2)从所述的测试特征X射线光电子能谱及价带谱谱图上识别出材料中各元素特征峰的位置，并以切线相交方式从步骤(1)检测的价带谱得到材料的测试带隙数值；(3)查阅文献及书籍，得到材料的标准带隙数值；(4)将所述的标准带隙数值减去所述的测试带隙值得到的差值进行移动，得到材料真实的特征X射线光电子能谱。本发明采用价带谱进行X射线光电子能谱校正，发展了X射线光电子能谱校正的方法，得到了材料真实的特征X射线光电子能谱。

摘要： 本发明公开了一种利用光电子能谱测量能带弯曲的方法和装置。此方法包括：获取待测样品在N个不同光电子发射角下的芯能级光电子能谱；N为整数且N≥4；根据芯能级光电子能谱与对应的光电子发射角的理论关系、光电子发射角与对应的积分深度的理论关系以及各不同光电子发射角下的芯能级光电子能谱分别获取N个不同积分深度对应的能级取值；光电子发射角与积分深度一一对应；根据能级取值与积分深度的理论关系、N个积分深度以及各积分深度对应的能级取值，拟合得到表层芯能级；表层芯能级为积分深度为0时对应的芯能级；根据能带弯曲与表层芯能级的理论关系以及表层芯能级的取值，得到待测样品的能带弯曲的大小。由此，可提高能带弯曲的测量精度。

摘要： 本发明涉及物理学领域，并且涉及一种动量分辨光电子能谱仪，通过其可以确定物理性质。本发明的目的是提供一种动量分辨光电子能谱仪，其实现了设备部件的具有显著减小的结构体积的简单结构。本发明的目的通过一种动量分辨光电子能谱仪来实现，该动量分辨光电子能谱仪包括至少在真空中在光轴方向上相继地布置的部件，每个部件至少是一个电子发射样本和一个聚焦系统，其中该聚焦系统由至少一个电子透镜和一个检测器组成，其中该电子透镜由三个圆柱体元件组成，其中第一圆柱体元件具有电势＝0并且两个随后布置的圆柱体元件具有电势≠0，并且其中检测器是布置在电子透镜的焦平面中的一个或多个空间分辨检测器。

摘要： 一种采用价带谱进行X射线光电子能谱校正的方法，包括以下步骤：(1)采用X射线光电子能谱仪对材料进行特征X射线光电子能谱及价带谱的扫描，得到高分辨的谱图测试特征X射线光电子能谱及价带谱；(2)从所述的测试特征X射线光电子能谱及价带谱谱图上识别出材料中各元素特征峰的位置，并以切线相交方式从步骤(1)检测的价带谱得到材料的测试带隙数值；(3)查阅文献及书籍，得到材料的标准带隙数值；(4)将所述的标准带隙数值减去所述的测试带隙值得到的差值进行移动，得到材料真实的特征X射线光电子能谱。本发明采用价带谱进行X射线光电子能谱校正，发展了X射线光电子能谱校正的方法，得到了材料真实的特征X射线光电子能谱。

摘要： 本发明属于光电子能谱的技术领域，具体涉及一种基于静电储存环的深能级光电子能谱研究装置，本发明基于桌面级设备实现单一尺寸且温度精密控制的团簇深能级光电子能谱的测量，本发明包括磁控溅射源，四极杆质量选择器，低温离子阱，束流光学整形及注入段和静电储存环和垂直分布电场补偿式速度影像光电子能谱仪，静电储存环被设计为约束束流做环形运动并成数量级提高束流强度，从而实现储存环束流注入与光电子能谱电离激光运行的解耦合，进而实现通过弱光单脉冲在时间上的积累来满足一些目前只能在高通量光脉冲上完成的测量。

摘要： 本发明涉及样品检测固定技术领域，公开样品定位夹、样品台、样品检测装置和X光电子能谱仪。样品定位夹包括多个依次间隔布置的安装臂和连接在相邻的所述安装臂之间的样品定位臂，其中，多个所述安装臂的位于所述样品定位臂相同侧的一端分别具有夹持结构，各个所述夹持结构包括定位夹缝，所述定位夹缝用于按压夹持定位在安装基础上的引导片上；所述样品定位臂和两侧的所述夹持结构围成样品容纳空间。该样品定位夹在实际使用中能够快速便捷的对放置在安装基础上的样品进行良好的固定定位，以对样品温度检测提供良好的固定定位基础，以避免出现样品温度检测异常，提高样品温度检测的稳定性和准确性。

摘要： 本发明属于光电子能谱技术领域，特别涉及基于高次谐波产生的时间分辨角分辨紫外光电子能谱装置。包括光学平台光路、产生腔体、选择腔体以及复合腔体。光路部分包括用来产生极紫外光源的驱动激光光路和时间分辨光电子能谱实验中的泵浦光光路，泵浦光光路经过电动线性平移台上的直角反射镜，可精确改变光路光程；高次谐波产生腔体，在该腔体中，超强激光聚焦到氩气气体靶上，产生不同级次的高次谐波；高次谐波选择腔体，通过多层镀膜的极紫外反射镜来选择并聚焦能量为42eV的第二十七次谐波；复合腔体引入泵浦光，并使泵浦光与极紫外光源近共线的入射至样品表面。本发明实现了固体表界面时间分辨角分辨极紫外光电子能谱的测量。

摘要： 本发明涉及一种准原位X射线光电子能谱测试装置及其测试方法，包括混气系统、截止阀、反应池、插板阀、快速进样腔体、分子束外延薄膜生长腔体、快速退火腔体、样品过渡转移腔体、缓冲腔体、第二快速进样腔体、X射线光电子能谱分析腔体；混气系统通过截止阀接通反应池，各个腔体都搭配有独立的真空泵组系统，并相互之间均通过插板阀相互隔绝，整个装置中的所有腔体都通过密封通道真空互联，被测样品在装置中完成测试前工艺处理和检测。实现样品在反应或者经过气体高温处理后，在不暴露空气的情况下转移至X射线光电子能谱分析腔体中进行测试，得到更加接近所测试催化材料实际终态的信息，本发明可用于表征模型催化剂、粉末催化剂的催化反应性能测试。

摘要： 本发明公开了一种利用团簇等离子体刻蚀测量聚合物亚层X光电子能谱的方法，该方法主要利用氩离子团簇轰击聚合物表面，将表面几十个纳米深的原子剥离，然后采用X射线辐照聚合物剥离后的表面，产生X射线光电子能谱，准确分析剥离后新界面的元素化合态及含量。本发明将团簇等离子刻蚀技术与X射线光电子能谱相结合，检测半导体不同聚合物薄膜界面层不同深度位置处的X射线光电子能谱，并获得元素化合态和含量，有利于探索聚合物半导体薄膜性质与光电器件性能间的关系，在薄膜分析领域有广泛应用前景。

摘要： 本实用新型公开了一种X射线光电子能谱仪紫外光电子能谱专用样品台装置，该装置设有样品台基架，该样品台基架设有第一凹部、与第一凹部侧边边缘处耦合的铜片以及多个第二凹部；铜片与样品台基架所在的平面形成夹角进而与第一凹部配合形成参考样品固定机构，第一凹部与多个第二凹部相隔，每个第二凹部的一端设置有第三凹部，第三凹部表面设有可嵌合推入的孔洞，孔洞用于安装固定导电夹，通过第二凹部、第三凹部与导电夹形成待测样品固定机构。本实用新型通过第一凹部与铜片装载银箔，免除重复拆取银箔的麻烦，使制样过程变得简单快捷，还通过导电夹与第二凹部、第三凹部固定待测样品，保证样品待测位置免受损伤，又保证样品表面有良好的电接触。