一种利用团簇等离子体刻蚀测量聚合物亚层X光电子能谱的方法

摘要

本发明公开了一种利用团簇等离子体刻蚀测量聚合物亚层X光电子能谱的方法，该方法主要利用氩离子团簇轰击聚合物表面，将表面几十个纳米深的原子剥离，然后采用X射线辐照聚合物剥离后的表面，产生X射线光电子能谱，准确分析剥离后新界面的元素化合态及含量。本发明将团簇等离子刻蚀技术与X射线光电子能谱相结合，检测半导体不同聚合物薄膜界面层不同深度位置处的X射线光电子能谱，并获得元素化合态和含量，有利于探索聚合物半导体薄膜性质与光电器件性能间的关系，在薄膜分析领域有广泛应用前景。