氧等离子体

摘要： 描述了一种结合光刻和热键合工艺制作压电喷墨腔室的工艺方法,并对喷墨腔室的键合质量进行研究.首先在Si基底上制作完全交联的SU-8开放腔室,然后在PDMS基底上采用邻近式紫外曝光得到带有锥形喷孔的喷孔板,最后将喷孔板与开放腔室热键合得到一体化的喷墨腔室.通过控制曝光量来得到不同交联程度的喷孔板,测量不同交联程度下喷墨腔室的键合强度;通过优化氧等离子体处理工艺参数,提高了喷墨腔室的键合强度;此外,优化了热键合温度和键合时间,获得最小的腔室变形量.

摘要： 二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件.本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究.采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球,重点研究了GaAs表面氧等离子体亲水处理工艺对纳米球排列特性的影响,获得最佳工艺条件为功率配比100 W+80 W、腔室压力4 Pa、氧气流量20 mL/min、处理时间1200 s,并最终得到排列紧密的大面积单层纳米球薄膜.以单层纳米球为掩模,采用感应耦合等离子体刻蚀技术在GaAs表面制备了纳米柱阵列并测试了其表面光反射谱.测试结果表明,GaAs纳米柱阵列在特定波段的反射率降低至5％,远低于表面无纳米结构的薄膜材料表面高达40％的光反射.分析表明纳米柱可以激发米氏散射共振效应,从而有效降低反射率并提升光吸收.

摘要： 通过在放电回路中连接电容来控制放电电荷数目并得到稳定的氧等离子体.利用测量的电压电流波形和放电图像的变化分析了放电模式在不同应用电压下的转化过程.根据等离子体发射光谱计算了各种活性物种的发射光谱强度,模拟了等离子体气体温度、振动温度的变化过程.结果表明:随着应用电压的增加,等离子体放电模式在电压正半周明显地从流光放电转化为辉光放电最后转化为弧光放电,在电压负半周从电晕放电转化为弧光放电.在放电回路中加入电容可以限制单次放电的电荷数目,提高放电的稳定性.与放电模式的转化相对应,等离子体的气体温度先增加后不变.

摘要： 使用微波等离子体技术（microwave plasma chemical vapor deposition，MPCVD）对膜厚100 μm的（100）和（111）晶面金刚石膜进行刻蚀处理，研究其抗氧等离子体的行为。结果表明：（100）晶面刻蚀首先发生在晶棱晶界处，而（111）晶面金刚石的刻蚀首先发生在晶面处；30 min刻蚀后，（100）面金刚石有明显晶面显现，（111）面金刚石膜晶面不明显；60 min刻蚀后，（100）和（111）晶面金刚石膜的择优取向消失；（100）晶面金刚石特征峰的半高宽值（full width at the half maximum，FWHM）由刻蚀前的8.51 cm–1上升至刻蚀后的12.48 cm–1，（111）晶面金刚石FWHM值由8.74 cm–1上升至148.49 cm–1；（100）晶面金刚石膜刻蚀速率在40 min时为0.35 μm/min，60 min时上升至1.34 μm/min；刻蚀前期，（100）晶面金刚石膜具有更好的抗氧等离子体刻蚀能力，刻蚀后期其抗刻蚀能力与（111）晶面金刚石膜相似。%The resistance abilities of (100) and (111)-faceted diamond films against oxygen plasma, 100 μm as film thickness, were investigated by the microwave power chemical vapor deposition (MPCVD) technique. The results indicate that the preferred etching points of the (100)-faceted diamond films are located at the grain boundaries and the preferred etching points of the (111)-faceted diamond films are located at the crystal surfaces. After 30 minutes etching, the (100)-faceted crystal can still be obviously shown while the (111)-faceted crystal is unobvious. After 60 minutes etching, the preferential orientations of (100)-faceted and(111)-faceted diamond films both are disappeared. The FWHM value of the (100)-faceted diamond films is increased from 8.51 cm–1 to 12.48 cm–1 and the FWHM value of the(111)-faceted diamond films is increased from 8.74 cm–1 to 148.49 cm–1 when the etching time is 60 minutes. The etching rate of the (100)-faceted diamond film is 0.35 μm/min when the etching time is 40 minutes and it is increased to 1.34 μm/min when the etching time is 60 minutes. At early stage, the (100)-faceted diamond film presented better resistance ability than the (111)-faceted diamond film against the oxygen plasma etching. But the resistance abilities to the plasma etching of the (100) and the (111)-faceted diamond films are similar when the etching time is 60 minutes.

摘要： 采用一种新型的金刚石颗粒制备方法,利用微波辅助化学气相沉积技术,向反应室内通入氢气,以固态石墨片同时作为碳源和衬底沉积金刚石颗粒。利用该方法合成的金刚石颗粒具有微米级尺寸,可用作研磨剂、抛光剂、形核剂等。但是合成的金刚石颗粒中仍含有少量的非晶碳,且合成颗粒的尺寸均匀性有待提高。为解决以上问题,本文中在反应不同阶段(初期、中期及末期)通入氧气,形成氧等离子体;研究氧等离子体对合成的金刚石颗粒形貌、尺寸、质量、纯度的影响,以及随氧等离子体添加阶段不同而产生的不同变化情况。结果表明,经氧等离子体处理的金刚石颗粒形貌略有改变,表面光滑度更好,且金刚石颗粒尺寸的一致性有所提高;经过激光粒度测试发现,金刚石颗粒的尺寸主要集中在25~29μm。添加氧等离子体有助于消除金刚石中的非晶碳,提高金刚石纯度;且在反应初期添加氧等离子体可最大程度提高金刚石颗粒质量。

摘要： 首先对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜进行氧等离子体预处理,然后通过原位化学氧化聚合法使得吡咯单体在PET薄膜表面沉积聚合,制备了聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚吡咯(PET-PPy)复合膜.通过原子力显微镜、X射线光电子能谱仪、ξ电位测试对经不同时长的氧等离子体预处理的PET薄膜进行表征;利用扫描电子显微镜、耐磨性实验和表面电阻测试对PET-PPy复合膜磨损前后的表面形貌和电阻进行分析与表征.结果表明,氧等离子体预处理显著增强了PET-PPy复合膜界面粘附性.氧等离子体预处理使PET薄膜表面粗糙度增大、电负性显著增强.特别地,当预处理时间为120 s时,薄膜表面电负性明显增强,此时PET-PPy复合膜磨损后的电阻值变化最小,表明PET薄膜与PPy功能层界面粘附强度得到明显增强.%Polyethylene terephthalate (PET) films were pretreated with oxygen plasma firstly.Then,polypyrrole (PPy) functional layers were polymerized on the surface of PET films to form PET-PPy composite films by in situ chemical oxidation polymerization method.Atomic force microscopy,X-ray photoelectron spectroscopy and zeta potential measurement were used to characterize PET films pretreated with oxygen plasma for different durations.The surface morphology and electrical resistance of PET-PPy composite films before and after abrasion were investigated by scanning electron microscopy,abrasion resistance and sheet resistance measurements.The results showed that the interfacial adhesion of PPy functional layer to PET film is significantly improved by oxygen plasma pretreatment.The increased surface roughness and the enhanced electronegativity are the leading factors for the improved adhesion strength.In addition,the optimal pretreatment duration is 120 s.

摘要： 采用静电纺丝法制备了ZnO纳米纤维材料并使用氧等离子体对其进行表面处理.通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),BET比表面积测试以及X射线光电子能谱分析(XPS)等手段对样品的结构与形貌进行了表征分析.将氧等离子体处理前后的ZnO纳米纤维分别制成气体传感器,对浓度为1×10-6~100×10-6(体积分数)丙酮气体的敏感特性进行了测试分析.测试结果表明,氧等离子体处理后的ZnO纳米纤维响应值较未处理的ZnO纳米纤维有大幅度的提升,最佳工作温度也有所降低,且对甲醛、苯、甲苯、二甲苯等几种干扰气体表现出更好的选择性.从晶粒间势垒和耗尽层厚度等角度初步分析了氧等离子体处理改善ZnO气敏特性的机理.%ZnO nanofibers were synthesized by an electrospinning method and subsequently treated by oxygen plas-ma. The structure and morphology of the samples were characterized using X-ray diffraction( XRD) ,scanning elec-tron microscopy(SEM),Brunner-Emmet-Teller(BET)measurements and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The sensitivity of the plasma treated and untreated ZnO nanofibers towards acetone from 1 × 10-6 to 100 × 10-6 ( volume fraction) was investigated. It was found that the gas sensing properties of ZnO nanofibers to acetone vapor obviously improved after it treated by oxygen plasma,such as decreasing the operating temperature and enhancing the response value. Meanwhile,the responses of the treated ZnO nanofibers sensor to formaldehyde,benzene,xylene and methylbenzene decrease,indicating an improved selectivityand anti-disturbance from interference to acetone va-por. The improvement mechanism of ZnO nanofibers treated by oxygen plasma is analyzed briefly by means of deple-tion layer thickness and potential barriers between grains.

摘要： 本文研究了氧等离子体干法去胶对自对准顶栅a-IGZO TFTs器件性能的影响.与湿法去胶制备的TFT器件相比,氧等离子体干法去胶能够很好地去除光刻胶并处理有源层上表面沟道区,得到良好的器件特性和更好的电应力稳定性.这是因为氧等离子体能够有效地修复有源层沟道区的表面缺陷态,改善有源层与栅介质的界面质量,提高器件的稳定性;同时,由于氧等离子与N2O等离子体处理有源层的效果一致,故而可以省略工艺中N2O处理的步骤,简化制备自对准顶栅a-IGZO TFTs的工艺流程.

摘要： 本文研究氧等离子体辐照对纳米银/二氧化钛复合薄膜光催化性能的影响.使用真空蒸发镀方法制备不同含量的纳米银/二氧化钛复合薄膜,用射频辉光放电产生的氧等离子体辐照纳米银/二氧化钛复合薄膜,研究辐照时间对样品光催化降解R6G效率的影响.结果表明,氧等离子体辐照能够明显地提高纳米银/二氧化钛复合薄膜紫外和可见光光催化性能.根据SEM、XRD图和XPS谱,分析了氧等离子体辐照后纳米银/二氧化钛复合薄膜光催化效率提高机理.

摘要： 采用氧等离子体对杨木单板进行改性处理,研究处理时间对杨木单板表面润湿性的影响,并将改性的单板制成三层胶合板,研究氧等离子体处理对杨木胶合板胶合强度的影响.研究结果表明:氧等离子体处理能显著改善杨木单板的表面润湿性,并提高胶合板胶合强度.经不同处理时间的氧等离子体改性后,杨木单板表面初始接触角下降率达7％～28％,平衡接触角下降率达48％～72％,表面自由能增加率达48％～59％,杨木胶合板胶合强度增加率达24％～38％.较优的氧等离子体处理时间为7min.

摘要： 以聚醚酰亚胺(PEI)溶液、SiO2和TiO2溶胶液为前驱体，静电自组装法制备了PEI/TiO2/SiO2多层膜。为考察基板预处理对构造多层膜的影响，膜的构造分别在无等离子体和氧等离子体处理的基板上进行。制得的多层膜在室温下干燥后，采用光学显微镜、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等手段进行了表征，结果发现等离子体处理的基板上构造的多层膜，纳米粒子分布较为均匀，表面的平整度较高，且多层膜的颜色呈现均一的紫色。这说明等离子处理基板有利于构造纳米粒子分布均匀、颜色均一的多层膜。

摘要： 本文利用数值模拟程序对不同条件下氧等离子体和大气等离子体中臭氧的形成过程进行数值模拟。结果发现：臭氧的形成与游离态氧原子密切相关；臭氧的最大数密度与初始电子数密度有关；臭氧最大数密度持续的时间与脉冲放电大气等离子体中放电时间选取相关，最佳的放电间隔是游离态氧原子达到最大的时间。

摘要： 聚二甲基硅氧烷(PDMS),是目前微流控芯片制备中使用较多的高分子聚合物材料.固化后的PDMS表面由于表面能低,化学惰性等原因,使表面亲水性和黏结性都很差,液体在PDMS微通道中难于流动,从而限制了它在微流控芯片领域中的广泛应用.所以需要对PDMS表面进行处理,改变其表面化学组分,引入亲水性基团,增加表面能,从而提高表面亲水性和黏结性.本文利用氧等离子体对PDMS表面进行处理可以获得亲水性的表面.

摘要： 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.

摘要： 本文研究了一种顶栅自对准a-IZO薄膜晶体管(TFT)的制备工艺.a-IZO沟道层经过氧等离子体处理后,器件呈现良好的开关特性.使用N2等离子体处理形成自对准源/漏区,有效抑制了寄生电容的引入.采用该工艺所制备a-IZO TFT器件特性优异,迁移率μ=14.57cm2/V·s,亚阈斜率SS=0.18mV/dec,电流开关比在109量级.同时,a-IZO TFT器件在正栅压偏置应力(PBS)和负栅压偏置应力(NBS)下均有较高稳定性,在栅极为+20V和-20V的应力下,应力时间3600S后阈值电压漂移量分别小于-0.25V和-0.1V.

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 这里所公开的是一种用于在等离子体室中生成等离子体的等离子体室设置方法。制备多个等离子体线圈，包括第一等离子体源线圈、第二等离子体源线圈和第三等离子体源线圈，该第二等离子体源线圈在其中心部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率，该第三等离子体源线圈在其边缘部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率。将第一等离子体源线圈设置在等离子体室上，并蚀刻测试芯片。对测试芯片的每个位置的蚀刻速率进行分析，并基于分析结果利用第二等离子体源线圈或第三等离子体源线圈代替第一等离子体源线圈。

摘要： 本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 本发明的目的在于提供使利用转动等离子体进行的等离子体处理稳定且可以控制、并可以提高等离子体处理质量的等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和使用它的等离子体处理装置。4个象限（Z1～Z4）中的各频率被设定为7、15、6、20Hz。利用该频率可变，可以使被分割成4个的转动角区域中的等离子体的转动速度不同。由于等离子体（P2、P4）的周向转动速度比等离子体（P1、P3）快，所以可以照射边描绘圆轨道（C）边从等离子体（P1）到（P2）、（P3）、（PB4）周期性变速转动的转动等离子体，可以在第一象限（Z1）～第四象限（Z4）中实施均匀的成膜处理。

摘要： 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

摘要： 根据本发明实施例的等离子体发生器设置为通过防止等离子体到电弧的转变以近大气压的压力产生高密度和稳定的等离子体。该等离子体发生器包括用于设置基板的板状下电极；以及在板状下电极上的圆柱旋转电极，其中圆柱旋转电极包括导电主体和绝缘屏蔽层，导电主体连接到电源且包括在导电主体的外圆周表面上的多个毛细管单元；绝缘屏蔽层由绝缘材料或电介质材料制成，暴露多个毛细管单元的下表面，并且屏蔽其它部分。