等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置

摘要

一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过等离子体对被吸附于单极式静电卡盘上的基板 进行处理的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法以 及等离子体处理装置。

背景技术

通过等离子体对基板上的薄膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法被用于 LED或者显示器等各种设备的制造工序中。这种蚀刻中对基板位置的固定 利用了例如通过单极式静电卡盘对基板进行吸附的方法(例如，参照专利 文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001－15581号公报

然而，在基板上的薄膜被等离子体蚀刻时，因等离子体中的反应所产 生的生成物有时会从基板的上方掉落到基板的表面上。另外，由于在生成 等离子体的腔室(chamber)的内壁上堆积有由之前进行的蚀刻所产生的 生成物，所以因腔室内壁的温度变化或等离子体中的粒子与堆积物的碰撞 等，堆积物有时会脱落下来。其结果，因从腔室的内壁脱落下来的堆积物 或从基板的上方掉落下的生成物，而导致在经过了蚀刻处理的基板的表面 产生微粒(particle)。

另外，这种在成为蚀刻对象的基板的表面产生微粒的课题并不仅限于 对基板上的薄膜的蚀刻，在对基板本身的蚀刻中也存在。另外，生成等离 子体的方式不管是电感耦合方式还是电容耦合方式或者是微波方式，在通 过等离子体进行蚀刻的等离子体蚀刻方法中，均存在这种在基板的表面产 生微粒的课题。进一步，在等离子体蚀刻以外的其他等离子体处理中，例 如，在通过等离子体CVD或者等离子体溅射等对基板进行处理的方法中， 同样也会在基板的表面产生微粒。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种抑制基板的表面产生微粒的等离子体蚀 刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法、以及等离子体处理装置。

将为了解决上述课题的方法以及作用效果记载如下。

本发明的技术中的等离子体蚀刻方法的一个方式，包括：第1工序， 在惰性气体的等离子体、即第1等离子体中将基板吸附于单极式静电卡盘 上之后，停止生成所述第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的 等离子体、即第2等离子体中对所述基板进行了蚀刻之后，停止生成所述 第2等离子体。然后，在所述第1工序中，在从所述单极式静电卡盘向所 述基板施加了正电压的状态下停止生成所述第1等离子体，在所述第2工 序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下停止生 成所述第2等离子体。

本发明的技术中的等离子体蚀刻装置的一个方式，具备：腔室；单极 式静电卡盘，其在所述腔室内对基板进行吸附；第1等离子体生成部，其 在所述腔室内生成惰性气体的等离子体、即第1等离子体；第2等离子体 生成部，其在所述腔室内生成卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子 体；和控制部，对所述单极式静电卡盘的驱动、所述第1等离子体生成部 的驱动、以及所述第2等离子体生成部的驱动进行控制。然后，所述控制 部在所述第1等离子体中驱动所述单极式静电卡盘将所述基板吸附于所 述单极式静电卡盘上之后，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正 电压的状态下，停止由所述第1等离子体生成部生成等离子体。另外，所 述控制部在所述第2等离子体中驱动所述单极式静电卡盘，在从所述单极 式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下，停止由所述第2等离子体 生成部生成等离子体。

根据本发明的技术中的一个方式，通过生成第1等离子体，可使单极 式静电卡盘对基板进行吸附，在停止生成该第1等离子体时，正电压从单 极式静电卡盘被施加在基板上。对此，在停止生成用于对基板进行蚀刻的 第2等离子体时，具有与由第1等离子体进行处理时相反的极性的负电压 被施加在基板上。因此，通过施加具有适合各自的极性的电压，可抑制在 基板的表面产生基于第1等离子体的固有的微粒、和基于第2等离子体的 固有的微粒。其结果，在等离子体蚀刻的各个工序中，可抑制每个工序固 有的微粒的产生。

本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，在所述第1工序中，在停止 生成所述第1等离子体之前，使从所述单极式静电卡盘向所述基板施加的 电压的极性反转。

根据本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，从单极式静电卡盘被施 加在基板上的电压的极性在第1等离子体的生成中进行反转。因此，与单 极式静电卡盘所施加的电压的极性不进行反转的构成相比，可抑制电荷蓄 积到基板上。

根据本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，在所述第2工序中，在 停止生成所述第2等离子体之前，使从所述单极式静电卡盘向所述基板施 加的电压的极性反转。

根据本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，从单极式静电卡盘被施 加在基板上的电压的极性在第2等离子体的生成中进行反转。因此，与单 极式静电卡盘所施加的电压的极性不进行反转的构成相比，可抑制电荷蓄 积到基板上。

本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，在所述第1工序中，使施加 在所述基板上的电压的极性以一定周期反转，将生成所述第1等离子体的 期间设定为直至所述极性为正时为止的期间。

根据本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，通过对极性反转的周期 的设定、和对生成第1等离子体的期间的设定，可在重复极性反转的同时、 在被施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体。

本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，在所述第2工序中，使施加 在所述基板上的电压的极性以一定周期反转，将生成所述第2等离子体的 期间设定为直至所述极性为负时为止的期间。

根据本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，通过对极性反转的周期 和生成第2等离子体的期间的设定，可在重复极性反转的同时、在被施加 了正电压的状态下停止生成等离子体。

本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，所述惰性气体为氩气，所述 蚀刻气体为三氯化硼。

根据本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，可抑制因氩气的等离子 体的生成所引起的微粒的产生、和因三氯化硼的等离子体的蚀刻所引起的 微粒的产生。

本发明的技术中的等离子体处理方法的一个方式，包括：第1工序， 在惰性气体的等离子体、即第1等离子体中将基板吸附于单极式静电卡盘 上之后，停止生成所述第1等离子体；和第2工序，在不同于所述第1等 离子体的第2等离子体中对所述基板进行了处理之后，停止生成所述第2 等离子体。然后，在所述第1工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基 板施加了正电压的状态下停止生成所述第1等离子体，在所述第2工序中， 在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下停止生成所 述第2等离子体。

本发明的技术中的等离子体处理装置的一个方式，具备：腔室；单极 式静电卡盘，其在所述腔室内对基板进行吸附；第1等离子体生成部，其 在所述腔室内生成惰性气体的等离子体、即第1等离子体；第2等离子体 生成部，其在所述腔室内生成不同于所述第1等离子体的第2等离子体； 和控制部，对所述单极式静电卡盘的驱动、所述第1等离子体生成部的驱 动、以及所述第2等离子体生成部的驱动进行控制。所述控制部在所述第 1等离子体中驱动所述单极式静电卡盘将所述基板吸附于所述单极式静电 卡盘上之后，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正电压的状态 下，停止由所述第1等离子体生成部生成等离子体。另外，所述控制部在 所述第2等离子体中驱动所述单极式静电卡盘，在从所述单极式静电卡盘 向所述基板施加了负电压的状态下，停止由所述第2等离子体生成部生成 等离子体。

附图说明

图1是表示本发明的技术的一个实施方式中的等离子体蚀刻装置的 构成的框图。

图2是表示本发明的技术的一个实施方式中的夹紧期间和蚀刻期间 的各个期间的、被施加在基板上的直流电压的推移的时序图。

图3是表示微粒数量相对于已处理的批数的推移的图，该图表示在向 基板施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体的实施例中的推移、和 在向基板施加了负电压的状态下停止生成第1等离子体的比较例中的推 移。

图4是表示微粒数量相对于已处理的批数的推移的图，该图表示在向 基板施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体的实施例中的推移、和 在向基板施加了正电压的状态下停止生成第2等离子体的比较例中的推 移。

图5是表示在变形例的夹紧期间和蚀刻期间的各个期间的、被施加在 基板上的直流电压的推移的时序图。

图6是表示在变形例的夹紧期间和蚀刻期间的各个期间的、被施加在 基板上的直流电压的推移的时序图。

符号说明

PL1…第1等离子体、PL2…第2等离子体、10…等离子体蚀刻装置、 11…腔室、12…气体供给部、13…排气部、14…等离子体生成部、15…静 电卡盘、15P…平台电极(stageelectrode)、16…第1高频电源、17… 第2高频电源、18…直流电源、20…控制部。

具体实施方式

参照图1以及图2，对将本发明的等离子体处理方法以及等离子体处 理装置具体化的一个实施方式进行说明。以下，以等离子体蚀刻方法以及 装置为例进行说明，然而本发明的技术也可适用于通过等离子体蚀刻以外 的其他等离子体处理(例如，等离子体CVD或者等离子体溅射)对基板进 行处理的方法以及装置。

[等离子体蚀刻装置]

如图1所示，等离子体蚀刻装置具备腔室11、气体供给部12、排气 部13、等离子体生成部14、静电卡盘15、第1高频电源16、第2高频电 源17、直流电源18、以及控制部20。另外，等离子体生成部14为第1 等离子体生成部以及第2等离子体生成部的一个例子。控制部20对夹紧 期间和蚀刻期间进行设定。夹紧期间为用于将基板S吸附在静电卡盘15 上的期间。蚀刻期间为对吸附在静电卡盘15上的基板S实施等离子体蚀 刻的期间。控制部20分别在夹紧期间和蚀刻期间，对气体供给部12、排 气部13、第1高频电源16、第2高频电源17、以及直流电源18各自的 驱动进行控制。

气体供给部12根据从控制部20输入的控制信号，将惰性气体和蚀刻 气体分别供给至腔室11的内部。在夹紧期间，控制部20对气体供给部 12的驱动进行控制，以使惰性气体的流量与处理条件一致。在蚀刻期间， 控制部20对气体供给部12的驱动进行控制，以使蚀刻气体的流量与处理 条件一致。蚀刻气体为从三氯化硼气体、氯化氢气体、溴化氢气体所组成 的组中选择的至少一种卤素类气体。

排气部13与腔室11的内部相连接，并根据从控制部20输入的控制 信号，对腔室11的内部进行排气。控制部20对排气部13的驱动进行控 制，以便在夹紧期间以及蚀刻期间的各个期间，腔室11的内部的压力值 与处理条件一致。排气部13由例如与腔室11连接的真空泵、和位于腔室 11与泵之间的阀构成。

等离子体生成部14位于腔室11的上部，并具备与第1高频电源16 连接的电极。第1高频电源16根据从控制部20输入的控制信号，将高频 电力供给至等离子体生成部14的电极。等离子体生成部14的电极可以为 例如感应线圈，也可以为平板电极，或者也可以为磁控电极。第1高频电 源16作为与等离子体生成部14相连接的电源，包含例如以13.56MHz的 频率输出高频电力的高频电源。

在夹紧期间，控制部20对第1高频电源16的驱动进行控制，以使第 1高频电源16所供给的高频电力与处理条件一致。然后，等离子体生成 部14基于施加在该电极上的高频电力，在腔室11的内部生成惰性气体的 等离子体、即第1等离子体PL1。另外，在蚀刻期间，控制部20对第1 高频电源16的驱动进行控制，以使第1高频电源16所供给的高频电力与 处理条件一致。然后，等离子体生成部14基于被施加在该电极上的高频 电力，在腔室11的内部生成蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体PL2。

静电卡盘15为将单极的直流电压施加在载置基板S的基板平台上的 单极式静电卡盘。基板平台内设有与第2高频电源17和直流电源18相连 接的平台电极15P。第2高频电源17根据从控制部20输入的控制信号， 将高频电力供给至平台电极15P。直流电源18根据从控制部20输入的控 制信号，将相对于接地电位的正电压、和相对于接地电位的负电压施加在 平台电极15P上。例如，直流电源18交替地施加正电压(5.0kV)和负电 压(-5.0KV)。

在夹紧期间，控制部20对直流电源18的驱动进行控制，以使正电压 的施加与负电压的施加按一定的周期交替地重复、且在正电压被施加的状 态下停止生成第1等离子体PL1。另外，在蚀刻期间，控制部20对直流 电源18的驱动进行控制，以使正电压的施加与负电压的施加按一定的周 期交替地重复、且在负电压被施加的状态下停止生成第2等离子体PL2。 另外，在蚀刻期间，控制部20对第2高频电源17的驱动进行控制，以使 从第2高频电源17被施加在平台电极15P上的高频电力与处理条件一致。

被施加在平台电极15P上的直流电压具有将具备绝缘性的基板S吸附 在基板平台的表面上的功能。被施加在平台电极15P上的直流电压的极性 的反转抑制过量的静电电荷蓄积在基板S上。被施加在平台电极15P上的 高频电力具有将等离子体中的蚀刻剂引导至基板S的表面的功能。

另外，静电卡盘15也可以将起到冷却介质作用的氦气供给至被载置 在基板平台的表面上的基板S与基板平台的表面之间，也可以构成为，仅 仅将基板S载置在基板平台的表面上。另外，也可以在基板平台上另外设 置用于将基板S的边缘按压在基板平台上的夹紧器(cramp)，以使在直 流电压的极性反转时基板S不离开基板平台的表面。

[等离子体蚀刻方法]

参照图2，对等离子体蚀刻装置所执行的等离子体蚀刻方法加以说明。

首先，在开始实施等离子体蚀刻方法之前，蚀刻的对象、即基板S被 载置在基板平台上。蚀刻的对象、即基板S例如为蓝宝石基板，该蓝宝石 基板为用于制造LED的基材、且具有绝缘性的基板的一个例子。基板S的 表面也可以具有例如通过蚀刻进行加工的镓膜或者氮化镓膜，蓝宝石基板 的上表面也可以为基板S的上表面。然后，在基板S被载置在基板平台上 的状态下，控制部20驱动排气部13对腔室11进行排气直至达到预定的 压力值为止。

接着，在定时t0，控制部20使气体供给部12开始供给惰性气体， 在夹紧期间开始的定时t1，控制部20使第1高频电源16供给高频电力 并生成第1等离子体PL1。接着，控制部20使直流电源18施加直流电压， 以使正电压(POS)与负电压(NEG)按一定的周期T交替地重复。因施加 直流电压所产生的静电力使基板S吸附在静电卡盘15的表面上。

另外，重复直流电压的极性反转抑制在基板S上的静电电荷的蓄积， 并抑制作用于基板S的静电力比开始施加直流电压时过量地变小。这种在 基板S上的静电力的保持使基板S的位置稳定。另外，只要是氦气被供给 至基板平台的表面与基板S之间的构成，那么保持基板S上的静电力就可 抑制氦从基板平台与基板S之间过量地漏出。

然后，在直流电源18施加着正电压的定时t2，控制部20使第1高 频电源16停止向等离子体生成部14供给高频电力。也就是说，在直流电 源18施加着正电压的状态下，控制部20停止生成第1等离子体PL1。由 此，控制部20结束使基板S吸附于基板平台的表面上的夹紧期间。

接着，在定时t3，控制部20使气体供给部12开始供给蚀刻气体， 在蚀刻期间开始的定时t4，控制部20使第1高频电源16供给高频电力 并生成第2等离子体PL2。另外，控制部20使第2高频电源17供给高频 电力，接着，使直流电源18施加直流电压，以使正电压与负电压按一定 的周期T交替地重复。因施加直流电压所产生的静电力使基板S吸附在静 电卡盘15的表面上。另外，与夹紧期间相同，重复直流电压的极性反转 抑制在基板S上的静电电荷的蓄积，并抑制作用于基板S上的静电力比开 始施加直流电压时过量地变小。然后，高频电力向静电卡盘15的供给将 等离子体中的蚀刻剂朝向吸附在静电卡盘15上的基板S引导，对基板S 上的蚀刻的进行方向赋予各向异性。

然后，在直流电源18施加着负电压的定时t5，控制部20使第1高 频电源16以及第2高频电源17停止供给高频电力。也就是说，在直流电 源18施加着负电压的状态下，控制部20停止生成第2等离子体PL2。由 此，控制部20结束对基板S进行蚀刻的蚀刻期间。

在此，在使用第1等离子体PL1对基板S进行吸附时，在生成第1等 离子体PL1的腔室11的内壁上，堆积有因之前进行的蚀刻所产生的生成 物。为此，因腔室11内壁的温度变化或者第1等离子体PL1中的粒子与 堆积物的碰撞等，堆积物有时会脱落下来。一部分具有相当于微粒大小的 粒子带有基于第1等离子体PL1的状态的电荷，在第1等离子体PL1中浮 游。然后，由于在停止生成第1等离子体PL1时，在吸附于静电卡盘15 上的基板S的表面，电场的状态发生很大程度的改变，所以浮游在基板S 上的粒子的行动也发生改变。

另外，在使用第2等离子体PL2对基板S进行蚀刻时，因第2等离子 体PL2中的反应所产生的生成物有时会从基板S的上方掉落到基板S的表 面上。在此，一部分具有相当于微粒大小的粒子也带有基于第2等离子体 PL2的状态的电荷，在第2等离子体PL2中浮游。然后，由于在停止生成 第2等离子体PL2时，在吸附于静电卡盘15上的基板S的表面，电场的 状态发生改变，所以浮游在基板S上的粒子的行动也发生改变。然后，在 浮游着的粒子中，由惰性气体的等离子体、即第1等离子体PL1所带的电 荷与由蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体PL2所带的电荷互不相同。

在这点上，只要按上述的构成，在停止生成第1等离子体PL1时，正 电压从静电卡盘15被施加在基板S上，另一方面，在停止生成第2等离 子体PL2时，具有与由第1等离子体PL1进行处理时相反的极性的负电压 被施加在基板S上。因此，具有使各个微粒相距较远的极性的电压被施加 在基板S上，由此基于第1等离子体PL1的固有的微粒与基于第2等离子 体PL2的固有的微粒从基板S上离开。其结果，在包含吸附基板S的夹紧 期间的第1工序、和包含对基板S进行蚀刻的蚀刻期间的第2工序中，可 抑制每个工序固有的微粒的产生。

[实施例]

参照图3以及图4，对微粒数量相对于被等离子体蚀刻装置处理的批 数的推移进行说明。图3表示在向基板S施加了正电压的状态下停止生成 第1等离子体PL1、且在向基板S施加了负电压的状态下停止生成第2等 离子体PL2的实施例中的推移。另外，图3还表示基于实施例仅对在向基 板S施加了负电压的状态下停止生成第1等离子体PL1进行了变更的比较 例1中的推移。图4表示与图3相同的实施例中的推移、和基于实施例仅 对在向基板S施加了正电压的状态下停止生成第2等离子体PL2进行了变 更的比较例2中的推移。这些实施例以及比较例中的处理条件如下所示。

·基板S：蓝宝石基板

·蚀刻对象：蓝宝石

·等离子体生成部14：感应线圈

·第1高频电源16：频率13.56MHz/输出1500W

·第2高频电源17：频率12.5MHz/输出1500W

·惰性气体：氩气/流量100sccm

·蚀刻气体：三氯化硼/流量100sccm

·夹紧期间：190秒

·蚀刻期间：1600秒

·极性反转的周期：6秒

·直流电源18施加的正电压：5.0kV

·直流电源18施加的负电压：5.0kV

·氦冷却：有

如图3所示，在直至批数达到200为止的范围内，实施例中的微粒数 量以较低的水平推移，而在批数超过200的范围内，所述微粒数量随批数 的增加逐渐增加。另一方面，在直至批数达到50为止的范围内，与实施 例相同，比较例1的微粒数量以较低的水平推移，而在批数超过50的范 围内，所述微粒数量随批数的增加急剧增加。通过这种微粒数量的推移， 可判断出在向基板S施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体PL1要 比在向基板S施加了负电压的状态下停止生成第1等离子体PL1更能抑制 在基板S的表面产生微粒。

如图4所示，在直至批数达到100为止的范围内，与实施例相同，比 较例2中的微粒数量稳定在较低的水平，而在批数超过100的范围内，所 述微粒数量急剧增加。通过这种微粒数量的推移，可判断出在向基板S施 加了负电压的状态下停止生成第2等离子体PL2要比在向基板S施加了正 电压的状态下停止生成第2等离子体PL2更能抑制在基板S的表面产生微 粒。

其结果，可判断出抑制基板S的表面产生微粒的直流电源18的电压， 在停止生成第1等离子体PL1时为正电压，而在停止生成第2等离子体 PL2时为负电压。而且已确认到，这种基于直流电压极性的微粒数量的抑 制倾向并不仅限于氩气的等离子体与三氯化硼气体的等离子体的组合，同 样也在惰性气体的等离子体、即第1等离子体PL1与卤素类气体的等离子 体、即第2等离子体PL2之间存在。

如上所述，根据上述实施方式，可以获得以下所列举的效果。

(1)通过施加具有适合各个工序(等离子体)的极性的电压，可抑 制在基板S的表面产生基于第1等离子体PL1的固有的微粒、和基于第2 等离子体PL2的固有的微粒。尤其是，可抑制产生因氩气的等离子体的生 成所引起的微粒、和因三氯化硼的等离子体的蚀刻所引起的微粒。

(2)在夹紧期间，从静电卡盘15被施加在基板S上的电压的极性在 第1等离子体PL1的生成过程中反转。因此，与电压的极性不反转的构成 相比，可抑制电荷蓄积在基板S上。

(3)同样，在蚀刻期间，从静电卡盘15被施加在基板S上的电压的 极性在第2等离子体PL2的生成过程中反转，所以与电压的极性不反转的 构成相比，可抑制电荷蓄积在基板S上。

(4)通过对周期T的设定、和对第1等离子体PL1的生成期间的设 定，可同时实现与上述(2)相应的极性反转的重复、和在被施加了正电 压的状态下停止生成第1等离子体PL1。然后，由于仅在夹紧期间生成第 1等离子体PL1的控制与使极性以周期T反转的控制互相独立，所以可简 化使施加正电压与停止生成第1等离子体PL1同步的构成。

(5)通过对周期T的设定、和对第2等离子体PL2的生成期间的设 定，可同时实现与上述(3)相应的极性反转的重复、和在被施加了负电 压的状态下停止生成第2等离子体PL2。然后，由于仅在蚀刻期间生成第 2等离子体PL2的控制与使极性以周期T反转的控制互相独立，所以可简 化使施加负电压与停止生成第2等离子体PL2同步的构成。

(6)为了在被施加了正电压的状态下使第1等离子体PL1的生成停 止，即使夹紧期间的长度根据周期T改变，周期T的长度还是非常短，为 夹紧期间的长度的5％以下。另外，为了在被施加了负电压的状态下使第 2等离子体PL2的生成停止，即使蚀刻期间的长度根据周期T改变，周期 T的长度还是非常短，为蚀刻期间的长度的0.5％以下。因此，还可以抑 制经过了夹紧期间的处理结果以及经过了蚀刻期间的处理结果发生很大 程度的改变。

上述实施方式，也可以适当变更为以下的形式并加以实施。

·1个静电卡盘15也可以具有互不相同的多个平台电极15P。此时， 在夹紧期间中，多个平台电极15P也可以具有相同的极性来作为用于吸附 基板S的电压，或者也可以具有互不相同的极性来作为用于吸附基板S的 电压。另外，在蚀刻期间中，多个平台电极15P也可以具有相同的极性来 作为用于吸附基板S的电压，或者也可以具有互不相同的极性来作为用于 吸附基板S的电压。总之，只要多个平台电极15P的每一个为在从平台电 极15P向基板S施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体PL1、且在 从平台电极15P向基板S施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体 PL2的构成即可。

·用于吸附基板S的电压也可以根据生成第1等离子体PL1的经过时 间来设定。例如，如图5所示，控制部20具备将第1高频电源16被驱动 的时间作为生成第1等离子体PL1的经过时间来进行计时的功能，在该计 时所得的时间比夹紧期间要短与期间T1相对应的量时，也可以将用于吸 附基板S的电压设定为正电压。通过这种对施加的控制，可使由静电卡盘 15施加正电压与停止生成第1等离子体PL1同步，从而可获得与上述(1)～ (3)相应的效果。

·用于吸附基板S的电压也可以根据生成第2等离子体PL2的经过时 间来设定。例如，如图5所示，控制部20具备将第1高频电源16以及第 2高频电源17被驱动的时间作为生成第2等离子体PL2的经过时间来进 行计时的功能，在该计时所得的时间比蚀刻期间要短与期间T2相对应的 量时，也可以将用于吸附基板S的电压设定为负电压。通过这种对施加的 控制，可使由静电卡盘15施加负电压与停止生成第2等离子体PL2同步， 从而可获得与上述(1)～(3)相应的效果。

·在夹紧期间，用于吸附基板S的电压的极性反转也可以为例如非周 期性的，以使保持正极性的期间与保持负极性的期间互不相同。另外，在 蚀刻期间，用于吸附基板S的电压的极性反转也可以为非周期性的。

·在夹紧期间，具有用于吸附基板S的电压的波形并不仅限于由极性 反转所产生的矩形波，例如也可以为正弦波或者三角波。另外，在蚀刻期 间，具有用于吸附基板S的电压的波形并不仅限于由极性反转所产生的矩 形波，例如也可以为正弦波或者三角波。

·如图6所示，在夹紧期间，用于吸附基板S的电压也可以保持相同 的极性、且对增加和减少进行交替地重复。进一步，在夹紧期间，用于吸 附基板S的电压也可以保持相同的极性、且保持恒定。

·在蚀刻期间，用于吸附基板S的电压也可以保持相同的极性、且对 增加和减少进行交替地重复。进一步，在蚀刻期间，用于吸附基板S的电 压也可以保持相同的极性、且保持恒定。

将基板S吸附在基板平台上所需的吸附力根据基板S的材料、基板S 的大小、以及有无用于对基板S进行冷却的氦等而有所不同。因此，优选 地，用于将基板S吸附在基板平台上的电压根据这些条件对反转的周期、 有无反转、波形等进行适当改变。

总之，只要是在从静电卡盘15向基板S施加了正电压的状态下停止 生成第1等离子体PL1、且在从静电卡盘15向基板S施加了负电压的状 态下停止生成第2等离子体PL2的构成即可。

·也可以构成为，等离子体蚀刻装置具备沿腔室11的外周的磁场线 圈，并在腔室11的内部形成用于提高等离子体密度的磁中性线。

·具有绝缘性的基板S只要是具有相当于通过静电卡盘15施加电压 而使静电卡盘15形成吸附力程度的绝缘性的基板即可，例如也可以为石 英基板、玻璃基板、以及氮化硅基板等。

·也可以在第1工序与第2工序之间包含与这些第1工序以及第2工 序不同的其他的工序。例如，在被蚀刻的薄膜为由上层与下层构成的二层 构造时，第2工序也可以为对下层进行蚀刻的工序，在这种情况下，也可 以在第1工序与第2工序之间包含对上层进行蚀刻的工序。