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Method for manufacturing quantum dot layer, method for manufacturing luminescence device including the quantum dot layer, and display device including the quantum dot layer

机译:量子点层的制造方法,包括量子点层的发光器件的制造方法,以及包括量子点层的显示器件

摘要

A method for manufacturing a quantum dots layer including providing a substrate on which a first electrode, a second electrode, and a third electrode are disposed; providing a first mixed solution including a first quantum dots, which have been surface-treated to have a first polarity, on the first to third electrodes; providing a second polarity opposite to the first polarity to the first electrode resulting in deposition of the first quantum dots on the first electrode; and drying the first mixed solution to form a first quantum dots layer.
机译:一种用于制造量子点层的方法,包括提供基板,第一电极、第二电极和第三电极设置在该基板上;在所述第一至第三电极上提供第一混合溶液,所述第一混合溶液包括经表面处理以具有第一极性的第一量子点;向第一电极提供与第一极性相反的第二极性,从而在第一电极上沉积第一量子点;以及干燥第一混合溶液以形成第一量子点层。

著录项

  • 公开/公告号US11276833B2

    专利类型

  • 公开/公告日2022-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG DISPLAY CO. LTD.;

    申请/专利号US202016784006

  • 发明设计人 SUNGMO YEON;

    申请日2020-02-06

  • 分类号H01L51/50;H01L51/56;C09B3/48;C07C211/06;C08L101/10;C08G18/83;C08G65/332;H01L21/3105;C09B29/08;C04B40/02;C04B41/45;C08G18/38;H01L51;G09G3/30;C09B67;B82Y40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:52:00

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