首页> 外国专利> MOLYBDENUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND MOLYBDENUM OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD

MOLYBDENUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND MOLYBDENUM OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD

机译:氧化钼溅射靶和氧化钼溅射靶制剂方法

摘要

This molybdenum oxide sputtering target comprises a MoOX phase. In the MoOX phase: a MoO2 phase and a MoO3 phase are included; the remaining portion is unavoidable impurities; the area ratio of pores is 5% or less; the average area of pores is 0.5 µm2 or less; and the average particle area of a crystalline structure is 5 µm2 or less.
机译:该氧化钼溅射靶包含MOOX相。 在MOOX阶段:包括MOO2相和MOO3相; 其余部分是不可避免的杂质; 孔的面积比为5%或更少; 孔的平均面积为0.5μm2或更小; 结晶结构的平均粒子面积为5μm2或更小。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号