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Silicon nitride substrates, silicon nitride-metal composites, silicon nitride circuit boards and semiconductor packages

机译:氮化硅基材,氮化硅 - 金属复合材料,氮化硅电路板和半导体封装

摘要

A silicon nitride substrate containing silicon nitride and magnesium, wherein, when the surface of the silicon nitride substrate is analyzed by a fluorescent X-ray analyzer under the specific condition I, XB/XA is 0.8 or more and 1.0 or less, a silicon nitride substrate is provided.
机译:含有氮化硅和镁的氮化硅底物,其中,当通过特定条件I的荧光X射线分析仪分析氮化硅底物的表面时,Xb / Xa为0.8或更大,1.0或更低,氮化硅 提供基板。

著录项

  • 公开/公告号KR20210144721A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 덴카 주식회사;

    申请/专利号KR20217030811

  • 申请日2020-03-27

  • 分类号H01L23/15;C04B35/587;C04B37/02;G01N23/223;H01L23/13;H01L23/373;H05K1/03;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2024-06-14 22:27:16

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