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Low melting point high-conductivity Cu nanowire manufacturing method thereof and transparent electrode including the same

机译:低熔点高电导率Cu纳米线制造方法及其包括相同的透明电极

摘要

A core-shell type low-melting-point high-conductivity copper nanowire comprising: a copper nanowire core; and a shell formed by coating a low-melting-point metal or alloy on the surface of the copper nanowire core, discloses a low-melting-point high-conductivity copper nanowire.
机译:芯壳型低熔点高导电铜纳米线,包括:铜纳米线芯; 并且通过在铜纳米线芯的表面上涂覆低熔点金属或合金而形成的壳,公开了一种低熔点高导铜纳米线。

著录项

  • 公开/公告号KR102296951B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 마이크로컴퍼지트 주식회사;

    申请/专利号KR20190137444

  • 发明设计人 최돈철;정영준;

    申请日2019-10-31

  • 分类号B22F1/02;B22F1;H01B5/14;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 22:25:05

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