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INCREASED EFFICIENCY OF CURRENT INDUCED MOTION OF CHIRAL DOMAIN WALLS BY INTERFACE ENGINEERING

机译：通过界面工程提高电流诱导手性域壁运动的效率

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摘要

The present invention relates to a magnetic domain wall displacement type memory cell (racetrack memory device), comprising a 4d or 5d metal dusting layer (DL) at the ferromagnetic/heavy metal interface of the ferromagnetic (FM) structure or the synthetic antiferromagnetic (SAF) structure of the basic racetrack device structure.

机译：磁畴壁位移型存储器单元（赛道存储器件）技术领域本发明涉及一种磁畴壁位移型存储器单元（赛道存储器件），包括在铁磁性（FM）结构的铁磁/重金属界面处的4D或5D金属除尘层（DL）或合成反铁磁性（SAF ）基本赛道装置结构的结构。

著录项

公开/公告号EP3916728A1

专利类型
公开/公告日2021-12-01

原文格式PDF
申请/专利权人 MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.;
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申请/专利号EP20200176531
发明设计人 GUAN YICHENG;MA TIANPING;BLAESING ROBIN;PARKIN STUART S.P.;
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申请日2020-05-26
分类号G11C11/16;G11C19/08;
国家 EP
入库时间 2022-08-24 22:16:23

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