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METHOD OF MANUFACTURING MOS2 HAVING 1T CRYSTAL STRUCTURE

机译:制造具有1T晶体结构的MOS2的方法

摘要

Provided is a method of manufacturing MoS2 having a 1T crystal structure. The method includes performing phase transition from a 2H crystal structure of MoS2 to the 1T crystal structure by reacting MoS2 having the 2H crystal structure with CO gas. The phase transition includes annealing the MoS2 having the 2H crystal structure in an atmosphere including CO gas.
机译:提供了一种制造具有1T晶体结构的MOS2的方法。 该方法包括通过使MOS2具有与CO气体的2H晶体结构的MOS2反应来执行从MOS2的2H晶体结构到1T晶体结构的相位转变。 相转变包括在包括CO气体的气氛中产生具有2H晶体结构的MOS2。

著录项

  • 公开/公告号EP3708535B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号EP20190215770

  • 申请日2019-12-12

  • 分类号C01G39/06;D01D5;D01F1/10;D01F9/22;D01D10/02;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-24 22:10:20

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