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Variable width memory module supporting enhanced error detection and correction

机译:可变宽度存储器模块支持增强的错误检测和校正

摘要

Described are memory modules that support different error detection and correction (EDC) schemes in both single- and multiple-module memory systems. The memory modules are width configurable and support the different EDC schemes for relatively wide and narrow module data widths. Data buffers on the modules support the half-width and full-width modes, and also support time-division-multiplexing to access additional memory components on each module in support of enhanced EDC.
机译:描述是在单模块和多模块存储系统中支持不同的错误检测和校正(EDC)方案的内存模块。 内存模块是宽度可配置的,并且支持相对宽和窄模块数据宽度的不同EDC方案。 模块上的数据缓冲区支持半宽和全宽模式,并支持时分复用,以访问每个模块的附加内存组件,以支持增强的EDC。

著录项

  • 公开/公告号US11164622B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAMBUS INC.;

    申请/专利号US202017101574

  • 申请日2020-11-23

  • 分类号G11C7/10;G11C11/4093;G11C11/4096;G06F11/10;G11C7/02;G11C29/52;G11C29/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 22:01:47

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