首页> 外国专利> Optimized multi gain LNA enabling low current and high linearity including highly linear active bypass

Optimized multi gain LNA enabling low current and high linearity including highly linear active bypass

机译:优化的多增益LNA,可实现低电流和高线性,包括高线性的主动旁路

摘要

An LNA having a plurality of paths, each of which can be controlled independently to achieve a gain mode. Each path includes at least an input FET and an output FET coupled in series. A gate of the output FET is controlled to set the gain of the LNA. Signals to be amplified are applied to the gate of the input FET. Additional stacked FETs are provided in series between the input FET and the output FET.
机译:具有多个路径的LNA,每个路径可以独立地控制以实现增益模式。 每个路径包括至少输入FET和串联耦合的输出FET。 控制输出FET的栅极以设定LNA的增益。 要放大的信号被施加到输入FET的栅极。 额外的堆叠FET串联提供在输入FET和输出FET之间。

著录项

  • 公开/公告号US11152907B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PSEMI CORPORATION;

    申请/专利号US202016860739

  • 发明设计人 EMRE AYRANCI;MILES SANNER;

    申请日2020-04-28

  • 分类号H03F3/193;H03F1/32;H03F3/72;H03F1/22;H03G3/30;H03G1;H03G3;H03F3/21;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 21:44:40

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号