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Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions

机译：互连的背面接触式接触金属 - 绝缘体 - 半导体太阳能电池，具有印刷氧化物隧道连接点

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摘要

Screen-printable metallization pastes for forming thin oxide tunnel junctions on the back-side surface of solar cells are disclosed. Interdigitated metal contacts can be deposited on the oxide tunnel junctions to provide all-back metal contact to a solar cell.

机译：公开了用于在太阳能电池的后侧表面上形成薄氧化物隧道结的丝网印刷金属化浆料。可以将交叉的金属触点沉积在氧化物隧道结上，以提供与太阳能电池的回复金属接触。

著录项

公开/公告号US11125389B2

专利类型
公开/公告日2021-09-21

原文格式PDF
申请/专利权人 ZHEJIANG KAIYING NEW MATERIALS CO. LTD.;
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申请/专利号US202016857627
发明设计人 MOHAMED M. HILALI;
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申请日2020-04-24
分类号H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/072;H01L31/0224;F17C3/02;H01L33/44;
国家 US
入库时间 2022-08-24 21:09:33

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