首页> 外国专利> EMBEDDED ELECTRONICS IN METAL ADDITIVE MANUFACTURING BUILDS ENABLED BY LOW-MELTING TEMPERATURE TRANSITION ZONE USING MATERIAL GRADIENTS

EMBEDDED ELECTRONICS IN METAL ADDITIVE MANUFACTURING BUILDS ENABLED BY LOW-MELTING TEMPERATURE TRANSITION ZONE USING MATERIAL GRADIENTS

机译:金属添加剂制造制造中的嵌入式电子产品通过材料梯度通过低熔点温度过渡区而启用

摘要

An additive manufacturing product is provided. The additive manufacturing product includes an embedded electronic, a transition zone, and a base material. The transition zone encases the embedded electronic. The transition zone includes transition material. The base material encases the transition zone. The transition material includes an intermediate melting point that is lower than a melting point of the base material.
机译:提供了一种添加剂制造产品。 添加剂制造产品包括嵌入式电子,过渡区和基材。 过渡区域吞噬嵌入式电子。 过渡区包括过渡材料。 基础材料包围过渡区。 过渡材料包括低于基材的熔点的中间熔点。

著录项

  • 公开/公告号US2021260660A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION;

    申请/专利号US202117319430

  • 发明设计人 DIANA GIULIETTI;ALEXANDER MADINGER;

    申请日2021-05-13

  • 分类号B22F10/20;B33Y10;B33Y80;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 20:48:39

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号