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Pre-heat processes for millisecond anneal system

机译:毫秒退火系统的预热过程

摘要

Preheat processes for a millisecond anneal system are provided. In one example implementation, a heat treatment process can include receiving a substrate on a wafer support in a processing chamber of a millisecond anneal system; heating the substrate to an intermediate temperature; and heating the substrate using a millisecond heating flash. Prior to heating the substrate to the intermediate temperature, the process can include heating the substrate to a pre-bake temperature for a soak period.
机译:提供了毫秒退火系统的预热工艺。 在一个示例实现中,热处理过程可以包括在毫秒退火系统的处理室中接收晶片支撑件上的基板; 将基材加热到中间温度; 并使用毫秒加热闪光加热基板。 在将基板加热到中间温度之前,该方法可以包括将基板加热到浸泡时段的预烘烤温度。

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