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GeTe chalcogenide thin film and fabrication method thereof

机译:gete Chalcogenere薄膜及其制造方法

摘要

The present invention comprises the steps of: a) dissolving GeTe powder in a solvent to prepare a precursor solution in which GeTe crystals are grown; b) spin coating the precursor solution on a substrate; And c) drying the spin-coated precursor solution; GeTe chalcogenide thin film manufacturing method comprising a.
机译:本发明包括以下步骤:a)溶解在溶剂中的gete粉末制备生长凝聚晶体的前体溶液; b)旋涂在基材上的前体溶液; c)干燥旋涂前体溶液; gete Chalogenere薄膜制造方法包括a。

著录项

  • 公开/公告号KR102287408B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR1020200022841

  • 发明设计人 이승윤;

    申请日2020-02-25

  • 分类号H01L21/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2024-06-14 21:55:14

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