首页> 外国专利> III-nitride multi-wavelength LED for visible light communication

III-nitride multi-wavelength LED for visible light communication

机译：III-氮化物多波长LED用于可见光通信

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

A light emitting diode (LED) array may include a first pixel and a second pixel on a substrate. The first pixel and the second pixel may include one or more tunnel junctions on one or more LEDs. The LED array may include a first trench between the first pixel and the second pixel. The trench may extend to the substrate.

机译：发光二极管（LED）阵列可以包括基板上的第一像素和第二像素。第一像素和第二像素可以包括一个或多个LED上的一个或多个隧道结。 LED阵列可以包括第一像素和第二像素之间的第一沟槽。沟槽可以延伸到基板。

著录项

公开/公告号US11081622B2

专利类型
公开/公告日2021-08-03

原文格式PDF
申请/专利权人 LUMILEDS LLC;
展开▼

申请/专利号US202017010300
发明设计人 ISAAC HARSHMAN WILDESON;PARIJAT PRAMIL DEB;ROBERT ARMITAGE;
展开▼

申请日2020-09-02
分类号H04B10;H01L33/06;H01L33;H01L27/15;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/32;H05B45/20;H05B47/19;H01L31/167;H01L33/38;H04B10/116;H04B10/572;H01L33/08;H01L31/02;H01L31/0232;
国家 US
入库时间 2022-08-24 20:17:58

相似文献

专利
外文文献
中文文献