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Manufacturing Method of Porous Oxide Thin Film Using Mechanochemical Treatment and Phototransistor

机译:使用机械化学处理和光电晶体多孔氧化物薄膜的制造方法

摘要

The present embodiments provide a phototransistor that detects visible light by forming a sub-gap state through a hydrophobic dot attached to an oxide active layer, and improves visible light absorption efficiency by increasing the surface area and internal scattering for receiving visible light through a porous structure, and a method for manufacturing the same provides
机译:本实施例提供了一种光电晶体管,其通过通过附着到氧化物有源层的疏水点形成副间隙状态来检测可见光,并通过增加表面积和内部散射来通过多孔结构接收可见光来提高可见光吸收效率,以及制造相同规定的方法

著录项

  • 公开/公告号KR102273137B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR1020190147707

  • 申请日2019-11-18

  • 分类号H01L31/10;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2024-06-14 21:49:40

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