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Memory Core Chip Having TSVS

机译:内存核心芯片具有TSVS

摘要

Disclosed herein is an apparatus that includes a memory cell array, a plurality of TSVs penetrating a semiconductor chip, an output circuit configured to output a data to the TSVs, an input circuit configured to receive a data from the TSVs, a pad supplied with a data from outside, and a control circuit configured to write the data to the memory cell array, read the data from the memory cell array, and transfer the data from the memory cell array to the input circuit via the output circuit and the TSVs.
机译:这里公开了一种装置,包括存储器单元阵列,贯穿半导体芯片的多个TSV,被配置为将数据输出到TSV的输出电路,被配置为从TSV接收数据的输入电路,提供了一个焊盘来自外部的数据,并且被配置为将数据写入存储器单元阵列的控制电路,从存储单元阵列读取数据,并经由输出电路和TSV将数据从存储器单元阵列传送到输入电路。

著录项

  • 公开/公告号US2021183744A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US202117164454

  • 发明设计人 NAOHISA NISHIOKA;SEIJI NARUI;

    申请日2021-02-01

  • 分类号H01L23/48;G11C29/44;G11C7/10;G11C5/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 19:23:21

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