首页> 外国专利> METHOD FOR PRODUCING GaN CRYSTAL

METHOD FOR PRODUCING GaN CRYSTAL

机译:生产GaN晶体的方法

摘要

A method for producing a GaN crystal that includes: (i) a seed crystal preparation step of preparing a GaN seed crystal having one or more facets selected from a {10-10} facet and a {10-1-1} facet; and (ii) a growth step of growing GaN from vapor phase on a surface comprising the one or more facets of the GaN seed crystal using GaCl3 and NH3 as raw materials.
机译:一种制造GaN晶体的方法,包括:(i)制备具有从{10-10}小平面和{10-1-1}刻面的一个或多个小平面的GaN晶晶的种子晶体制备步骤; (ii)使用GaCl 3 和NH 3 作为原料,将GaN从包含GaN种子晶体的一个或多个小平面的表面生长下来的GaN的生长步骤。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号