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Bump bonding structure to mitigate space contamination for III-V dies and CMOS dies

机译:凹凸键合结构,用于减轻III-V模具和CMOS模具的空间污染

摘要

Various embodiments of the present disclosure are directed towards a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) device. The VCSEL device includes a bond bump overlying a substrate. A VCSEL structure overlies the bond bump. The VCSEL structure includes a second reflector overlying an optically active region and a first reflector underlying the optically active region. A bond ring overlying the substrate and laterally separated from the bond bump. The bond ring continuously extends around the bond bump.
机译:本公开的各种实施例涉及垂直腔表面发射激光器(VCSEL)装置。 VCSEL装置包括覆盖衬底的键凸块。 VCSEL结构覆盖键碰撞。 VCSEL结构包括覆盖光学有源区域的第二反射器和底部光学活动区域的第一反射器。覆盖基板并与键凸块横向分离的键环。粘合环连续延伸在粘合凸块周围。

著录项

  • 公开/公告号US11025033B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. LTD.;

    申请/专利号US201916417712

  • 发明设计人 JHIH-BIN CHEN;MING CHYI LIU;

    申请日2019-05-21

  • 分类号H01S5/183;H01S5/02375;H01S5/42;H01S5/0237;H01S5/30;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 19:03:21

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