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OVERLAY OPTIMIZATION

机译:覆盖优化

摘要

The present disclosure generally relates to semiconductor structures and, more particularly, to overlay optimization and methods of manufacture. The method includes performing, by a computing device, an exposure with a correction parameter to a first wafer; performing, by the computing device, a decorrection of the correction parameter; collecting, by the computing device, overlay data in response to the exposure and the decorrection; estimating, by the computing device, an optimal parameter from the overlay data; and applying, by the computing device, the optimal parameter to a second wafer to align an overlay in the second wafer.
机译:本公开一般涉及半导体结构,更具体地,涉及覆盖优化和制造方法。该方法包括通过计算设备执行用校正参数曝光到第一晶片;通过计算设备执行校正参数的转换;通过计算设备收集响应于曝光和转换的数据覆盖数据;通过计算设备估计来自覆盖数据的最佳参数;通过计算设备施加到第二晶片的最佳参数以对准第二晶片中的覆盖。

著录项

  • 公开/公告号US2021141303A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GLOBALFOUNDRIES U.S. INC.;

    申请/专利号US201916679826

  • 发明设计人 RICHARD P. GOOD;IAN R. KRUMANOCKER;

    申请日2019-11-11

  • 分类号G03F1/36;G06F17/50;G03F1/70;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 18:40:30

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