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High speed NAND memory system and high speed NAND memory package device

机译:高速NAND内存系统和高速NAND内存包设备

摘要

A switching buffer that controls switching so that a plurality of NAND memory chips constituting the NAND memory package device transmits a plurality of page-unit data in parallel through the NAND interface is provided between the NAND memory chip and the host controller. The performance of the NAND memory system can be improved by increasing the data transmission/reception speed between host controllers.
机译:控制切换的切换缓冲器,使得构成NAND存储器包设备的多个NAND存储芯片通过NAND接口在NAND存储器芯片和主机控制器之间提供并行地发送多个页面单元数据。通过增加主机控制器之间的数据传输/接收速度,可以提高NAND存储系统的性能。

著录项

  • 公开/公告号KR102242957B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR1020190065246

  • 发明设计人 이동양;

    申请日2019-06-03

  • 分类号G06F3/06;G06F12/02;G06F5/06;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 18:27:01

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