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FERROELECTRIC AND MULTIFERROIC MATERIAL STRUCTURES

机译:铁电和多体材料结构

摘要

A ferroelectric device includes a substrate, a first electrode on the substrate, and a hexagonal ferroelectric material on the first electrode. The first electrode comprises a single crystal epitaxial material. By using a single crystal epitaxial material for an electrode to a hexagonal ferroelectric material, a high-quality material interface may be provided between these layers, thereby improving the performance of the ferroelectric device by allowing for a reduced coercive field.
机译:铁电器件包括基板,基板上的第一电极,以及第一电极上的六边形铁电材料。第一电极包括单晶外延材料。通过使用用于电极的单晶外延材料到六边形铁电材料,可以在这些层之间提供高质量的材料界面,从而通过允许减小的矫顽磁场来提高铁电器件的性能。

著录项

  • 公开/公告号US2021119112A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CORNELL UNIVERSITY;

    申请/专利号US202017076131

  • 申请日2020-10-21

  • 分类号H01L43/02;H01L43/10;H01L27/22;G11C11/16;H01L43/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 18:19:38

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