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Methods to improve front-side process uniformity by back-side metallization

机译:通过背面金属化改善前侧工艺均匀性的方法

摘要

Methods to improve front-side process uniformity by back-side metallization are disclosed. In some implementations, a metal layer is deposited on the back-side of a wafer prior to performing a plasma-based process on the front side of the wafer. Presence of the back-side metal layer reduces variations in, for example, thickness of a deposited and/or etched layer resulting from the plasma-based process.
机译:公开了通过背面金属化改善前侧工艺均匀性的方法。在一些实施方式中,在晶片的前侧执行基于等离子体的过程之前,在晶片的后侧沉积金属层。背面金属层的存在减少了由基于等离子体的沉积和/或蚀刻层的厚度的变化。

著录项

  • 公开/公告号US10982322B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SKYWORKS SOLUTIONS INC.;

    申请/专利号US201916452998

  • 发明设计人 KEZIA CHENG;

    申请日2019-06-26

  • 分类号C23C14/50;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/30;H01L21/677;H01L21/687;H01L21/02;H01L21/311;C23C16/06;C23C16/50;C23C16/505;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 18:17:27

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