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METHODS TO IMPROVE FRONT-SIDE PROCESS UNIFORMITY BY BACK-SIDE METALLIZATION

机译:通过背面金属化改善正面工艺均匀性的方法

摘要

Methods to improve front-side process uniformity by back-side metallization are disclosed. In some implementations, a metal layer is deposited on the back-side of a wafer prior to performing a plasma-based process on the front side of the wafer. Presence of the back-side metal layer reduces variations in, for example, thickness of a deposited and/or etched layer resulting from the plasma-based process.
机译:公开了通过背面金属化来改善正面工艺均匀性的方法。在一些实施方案中,在对晶片的正面执行基于等离子体的工艺之前,将金属层沉积在晶片的背面上。背面金属层的存在减少了例如由基于等离子体的工艺导致的沉积和/或蚀刻层的厚度的变化。

著录项

  • 公开/公告号US2019316250A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-10-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SKYWORKS SOLUTIONS INC.;

    申请/专利号US201916452998

  • 发明设计人 KEZIA CHENG;

    申请日2019-06-26

  • 分类号C23C14/50;C23C16/505;C23C16/50;C23C16/06;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/687;H01L21/677;H01L21/30;H01L21/67;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:13:02

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