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AN ETCHANT COMPOSITION FOR RUTHENIUM METAL FILM, A PATTERN FORMATION METHOD AND A MANUFACTURING METHOD OF ARRAY SUBSTRATE USING THE ETCHANT COMPOSITION, AND AN ARRAY SUBSTRATE MANUFACTURED THEREFROM

机译:用于钌金属膜的蚀刻剂组合物,使用蚀刻剂组合物的阵列基板的图案形成方法和阵列基板的制造方法,以及由此制造的阵列基板

摘要

(A) periodic acid, (B) organic phonic acid, and (C) an etchant composition comprising water, a ruthenium metal film etchant composition having a pH of 2 or less, a pattern formation method using the same, and a method of manufacturing an array substrate, and An array substrate manufactured accordingly is provided.
机译:(a)碘酸,(b)有机苯乙酸,和(c)包含水的蚀刻剂组合物,具有2或更小的pH为pH为2或更低的钌金属膜蚀刻剂组合物,以及使用该方法的图案形成方法和制造方法提供阵列基板和相应地制造的阵列基板。

著录项

  • 公开/公告号KR20210034905A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 동우 화인켐 주식회사;

    申请/专利号KR1020190116842

  • 发明设计人 윤효중;백종욱;김민정;

    申请日2019-09-23

  • 分类号C23F1/30;C23F1/44;G02F1/1362;H01L27/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2024-06-14 21:23:57

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