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Compute-in-memory bit cell

机译:Compute In-Memory位单元格

摘要

A charge sharing Compute In Memory (CIM) may comprise an XNOR bit cell with an internal capacitor between the XNOR output node and a system voltage. Alternatively, a charge sharing CIM may comprise an XNOR bit cell with an internal capacitor between the XNOR output node and a read bit line. Alternatively, a charge sharing CIM may comprise an XNOR bit cell with an internal cap between XNOR and read bit line with a separate write bit line and write bit line bar.
机译:存储器(CIM)中的电荷共享计算可以包括具有内部电容器之间的Xnor比特小区,在Xnor输出节点和系统电压之间。或者,电荷共享CIM可以包括Xnor比特小区,其中XNOR输出节点和读取位线之间的内部电容器。或者,电荷共享CIM可以包括Xnor位小区,其具有在Xnor之间的内部帽和具有单独写入位线和写入位线条的读取位线。

著录项

  • 公开/公告号US10964356B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUALCOMM INCORPORATED;

    申请/专利号US201916706429

  • 发明设计人 ZHONGZE WANG;XIA LI;YE LU;YANDONG GAO;

    申请日2019-12-06

  • 分类号G11C7/10;G11C7/06;G06N3/06;G11C11/4094;G11C11/419;G11C11/4074;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 17:58:05

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