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Device and method for a III-V light emitting micropixel array device with a hydrogen diffusion barrier layer

机译:具有氢扩散阻挡层的III-V发光微锁定阵列装置的装置和方法

摘要

A solid state light emitting micropixel array structure with hydrogen barrier layers is provided to minimize or eliminate undesired passivation of doped GaN structures due to hydrogen diffusion.
机译:提供一种具有氢阻隔层的固态发光微锁定阵列结构,以最小化或消除由于氢气引起的掺杂GaN结构的不希望的钝化。

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