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机译:具有IGBT区域和二极管区域的RC-IGBT
公开/公告号DE102019125007A1
专利类型
公开/公告日2021-03-18
原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
申请/专利号DE201910125007
发明设计人 ROMAN BABURSKE;JOHANNES GEORG LAVEN;FRANK PFIRSCH;ALEXANDER PHILIPPOU;CHRISTIAN SANDOW;
申请日2019-09-17
分类号H01L29/739;H01L21/331;
国家 DE
入库时间 2022-08-24 17:47:37
机译: RC-IGBT半导体器件RC-IGBT及其制造方法
机译: 带有SiC续流二极管的RC-IGBT
机译: 带自由晶硅二极管的RC-IGBT