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EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR PRODUCING AN EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

机译:边缘发射半导体激光器和制造边缘发射半导体激光器的方法

摘要

The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser (1) comprising - at least two laser diodes (2), each of which is designed to generate electromagnetic radiation, wherein - the laser diodes (2) are arranged on top of one another in a vertical direction, - the laser diodes (2) are monolithically connected to one another, and - at least one frequency-stabilizing element (12) is arranged in an end region (11) of the laser diodes (2). The invention also relates to a method for producing an edge-emitting semiconductor laser (1).
机译:附图技术领域涉及一种包括 - 至少两个激光二极管(2)的边缘发射半导体激光器(1),每个激光二极管(2)被设计成产生电磁辐射,其中 - 激光二极管(2)布置在彼此之上垂直方向 - 激光二极管(2)彼此单片连接,并且 - 至少一个频率稳定元件(12)布置在激光二极管(2)的端部区域(11)中。本发明还涉及一种用于制造边缘发射半导体激光器(1)的方法。

著录项

  • 公开/公告号WO2021037607A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;

    申请/专利号WO2020EP73098

  • 发明设计人 MUELLER MARTIN;

    申请日2020-08-18

  • 分类号H01S5/40;H01S5/125;H01S5/30;H01S5/20;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2024-06-14 21:21:23

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